LH64256-10是一款由Sanyo(现为Panasonic旗下公司)生产的高性能静态随机存取存储器(SRAM)芯片,其容量为64K位(8K x 8)。该芯片采用高速CMOS工艺制造,适用于需要快速存取和低功耗的应用场景。LH64256-10的存取时间(Access Time)为10ns,表明其具有较快的响应速度,适合用于缓存、数据缓冲、临时存储等场合。封装形式通常为28引脚DIP或SOIC封装,便于在多种电路板设计中使用。
容量:8K x 8位
组织方式:8K地址,每个地址8位数据
电源电压:5V
存取时间(tRC):10ns
读取时间(tAA):10ns
输出使能到数据输出延迟(tOE):3.5ns
芯片使能到数据输出延迟(tCE):5.5ns
工作温度范围:商业级(0°C至70°C)或工业级(-40°C至85°C)
封装类型:28引脚DIP或28引脚SOIC
LH64256-10具备多项优异的电气和物理特性。其高速存取时间仅为10ns,适用于对响应速度要求较高的系统应用。该芯片采用了CMOS工艺,具有较低的静态电流,有助于降低整体功耗,提高系统的能效。在正常工作条件下,其读取和写入操作稳定可靠,具备较高的数据保持能力。此外,该芯片的封装形式(DIP或SOIC)适合多种PCB布局设计,增强了其在不同应用环境下的适应性。LH64256-10的输出缓冲器设计可有效减少信号干扰,从而提高数据传输的稳定性。其芯片使能(CE)和输出使能(OE)引脚支持灵活的片选逻辑,便于在多芯片系统中进行扩展和控制。
LH64256-10的内部结构采用全静态设计,无需外部刷新电路即可保持数据稳定,这使得它在需要低复杂度存储解决方案的系统中非常适用。此外,其高速响应特性使得该芯片能够无缝集成到各种嵌入式系统、工业控制器、通信设备以及测试仪器中。
LH64256-10广泛应用于需要快速数据存取的电子系统中。例如,在嵌入式系统中作为程序存储器或数据缓存使用,以提升系统的运行效率;在工业控制设备中,作为临时数据存储器用于存储传感器数据或控制指令;在通信设备中,用于数据缓冲和协议转换等操作。此外,LH64256-10也常用于测试和测量仪器中,作为高速缓存用于临时存储测试数据。由于其低功耗和高稳定性,该芯片也适用于医疗设备、自动化设备以及汽车电子系统中需要高速存储的场景。该芯片的多功能性和稳定性使其成为许多电子系统设计中不可或缺的组成部分。
IS61LV25616A-10B4I, CY62148EVLL-45ZXC, IDT71V416S10PFGI, AS7C3256-10TC, CY62157DV30LL-45ZSXI