您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA0603A331JBAAT31G

GA0603A331JBAAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 23:37:23 查看 阅读:6

GA0603A331JBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性,能够显著提高系统效率并减少热量产生。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,广泛适用于工业控制、汽车电子及消费类电子产品中。

参数

型号:GA0603A331JBAAT31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  最大漏源电压(V_DS):60V
  连续漏极电流(I_D):33A
  导通电阻(R_DS(on)):3.5mΩ(典型值,在V_GS=10V时)
  栅极电荷(Q_g):85nC
  开关频率:支持高达1MHz的应用
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA0603A331JBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (R_DS(on)),有助于降低功耗并提升整体效率。
  2. 快速的开关性能,使得其非常适合高频应用场合。
  3. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下也能可靠运行。
  4. 热稳定性优异,能够在极端温度环境下长期工作。
  5. 具备良好的 ESD 防护设计,提升了产品耐用性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  3. 新能源汽车的车载充电器与逆变器。
  4. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换。
  5. 太阳能微逆变器及其他可再生能源相关产品。
  6. 各种需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

GA0603A330JBAAT31G, IRF3710, FDP059N06L

GA0603A331JBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容330 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-