容量：256K位
　　组织形式：32K x 8
　　访问时间：80ns
　　电源电压：5V
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装形式：52引脚TSOP
　　接口类型：并行接口
　　数据保持电压：2V
　　最大工作频率：约125MHz
　　待机电流：最大10mA（典型值1mA）
　　工作模式：异步SRAM

LH604256D-80A SRAM芯片具备多项高性能和可靠性特性。首先，它采用了高速CMOS工艺，访问时间仅为80纳秒，使得数据读取和写入操作更加迅速，适用于高速缓存和实时数据处理系统。其次，该芯片的工作电压为5V，确保了与大多数标准逻辑电平兼容，并具备良好的电源稳定性。此外，LH604256D-80A支持宽温度范围工作，适用于工业级应用环境，确保在严苛条件下依然能够稳定运行。芯片还具备低功耗待机模式，极大程度上降低了系统整体的能耗，适合对功耗敏感的应用场景。LH604256D-80A的52引脚TSOP封装设计有助于减少PCB空间占用，提高集成度，适用于小型化电子产品设计。此外，该芯片具有优异的数据保持能力，在电源电压下降至2V时仍能保持存储数据不丢失，为系统提供可靠的断电数据保护。

LH604256D-80A广泛应用于多个高性能存储需求的领域。在通信设备中，该芯片常用于缓存和临时数据存储，以提高数据处理速度。在网络设备中，LH604256D-80A可作为高速缓冲存储器，用于提升网络数据包的处理效率。在工业控制系统中，该芯片用于存储实时数据和程序代码，确保系统的稳定运行。此外，LH604256D-80A还广泛应用于嵌入式系统、医疗设备、测试仪器、视频处理设备和消费电子产品中，提供高速、可靠的数据存储解决方案。对于需要快速访问和高稳定性的应用场景，LH604256D-80A是一种理想的选择。

ISSI IS61LV256AL-80BLLI
　　Cypress CY62148BLL-80B
　　Renesas IDT71V416SA80BQI
　　Microchip SST39LF800