类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流：50 mA
　　峰值输入电流：1 A
　　反向电压：6 V
　　输出耐压：35 V
　　集电极电流：50 mA
　　隔离电压：5000 Vrms
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%
　　响应时间：3 μs（上升）、3 μs（下降）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +110℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　封装类型：DIP-4
　　绝缘电阻：10^9 Ω min
　　介电强度：5 kVrms / 1 min

AL02CT3N3 光耦合器的核心特性之一是其优异的电气隔离能力，能够在高压与低压电路之间提供高达5000 Vrms的隔离电压，确保系统的安全性与抗干扰能力。这种高隔离性能使其特别适用于医疗设备、工业控制系统以及电力监控等对安全要求较高的场合。该器件采用红外LED与硅光电晶体管组合结构，在较低的输入驱动电流下即可实现高效的信号传输，典型正向工作电流仅为10mA左右，兼容TTL及CMOS逻辑电平，易于与微控制器、逻辑门电路或数字信号处理器直接接口。
　　另一个关键特性是其宽泛的工作温度范围（-55℃至+110℃），保证了在极端环境下的稳定运行，无论是寒冷的户外设备还是高温的工业环境中都能保持良好性能。同时，AL02CT3N3 具有较高的电流传输比（CTR），典型值可达80%以上，最大可达到600%，这意味着即使在老化或温度变化的情况下仍能维持可靠的输出响应，减少了对外部放大电路的需求，简化了系统设计。
　　响应速度方面，AL02CT3N3 的上升和下降时间均为3μs，满足大多数中速信号隔离应用需求，如开关电源中的反馈控制、继电器驱动隔离、串行通信隔离（如RS-232/RS-485）等。其DIP-4封装不仅机械强度高，且引脚间距标准，便于手工焊接与自动化生产。此外，该器件通过UL、CSA、VDE等国际安规认证，符合IEC/EN/DIN EN 60747-5-2标准，确保在全球范围内的合规性与互换性。内置的光隔离结构还能有效抑制共模瞬态干扰（Common-mode transient），提升系统的电磁兼容性（EMC）。
　　AL02CT3N3 还具备良好的长期可靠性，经过高温高湿偏置测试（HTRB）和温度循环测试验证，适用于需要长时间连续运行的工业设备。其低功耗特性也有助于提高整体系统的能效表现。综合来看，AL02CT3N3 是一款性能均衡、成本效益高的通用型光耦，适合多种隔离应用场景。

AL02CT3N3 光耦合器广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它常被用作反馈回路元件，将次级侧的电压或电流信号隔离后传递给初级侧的PWM控制器，从而实现闭环稳压控制，同时避免高压侧对控制电路的影响。在工业自动化领域，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块，实现现场传感器与中央处理单元之间的信号隔离，防止强电干扰导致误动作或损坏核心芯片。
　　在电机驱动系统中，AL02CT3N3 可用于隔离微控制器发出的PWM信号与功率驱动电路（如IGBT或MOSFET栅极驱动器），保障控制端的安全。此外，在通信接口中，例如RS-232、RS-485 或 CAN 总线系统中，该光耦可用于隔离数据收发线路，消除地电位差引起的噪声和信号失真，提升通信稳定性与距离。
　　在医疗电子设备中，由于对患者安全有严格要求，必须进行基本绝缘或加强绝缘处理，AL02CT3N3 凭借其5000 Vrms的高隔离电压和通过多项安全认证的优势，成为隔离电源管理单元或监测信号路径的理想选择。它也常见于智能电表、UPS不间断电源、逆变器、电池管理系统（BMS）以及家用电器（如空调、洗衣机）的控制板中，用于隔离用户操作界面与主控电路。
　　此外，在嵌入式系统和物联网设备中，当MCU需要与外部高电压或噪声环境交互时，AL02CT3N3 提供了一种简单而有效的隔离方案。其紧凑的DIP-4封装也适合空间受限的设计。总之，只要涉及信号隔离、电平转换或噪声抑制的场景，AL02CT3N3 都是一个成熟可靠的解决方案。

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　　 "PC817",
　　 "LTV-817",
　　 "EL817",
　　 "HCNR201",
　　 "TLP521-1"
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