类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：80V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：18mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C至175°C

LH5P860N-80 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件的 Rds(on) 典型值仅为 18mΩ，在高电流工作条件下仍能保持较低的导通压降。
　　此外，LH5P860N-80 采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化装配流程。其高耐压能力（80V）使其适用于多种中高压功率转换应用。
　　该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于严苛的工业和汽车环境。
　　栅极驱动电压范围为 ±20V，支持标准逻辑电平驱动，方便与各种控制电路（如微控制器或PWM控制器）配合使用。

LH5P860N-80 广泛应用于多个高功率电子系统中。常见用途包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）。
　　在电源管理领域，该器件可用于构建高效能的降压（Buck）或升压（Boost）转换器，提供稳定的电压输出，适用于服务器电源、电信设备和工业电源模块。
　　在汽车电子中，LH5P860N-80 可用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）控制器和电池保护电路。由于其高可靠性和耐高温能力，非常适合用于车载环境中的关键控制模块。
　　此外，该MOSFET也适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用，提供高效、稳定的功率开关性能。

SiHF860N-80, FDP860N-80, IRF3717PBF