时间：2025/8/28 1:23:40
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LH5P832-12 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的功率MOSFET晶体管，采用N沟道结构，适用于中高功率的开关和功率控制应用。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在较高的电流负载下保持较低的导通损耗，从而提高整体效率。该器件采用TO-220封装，适合用于需要良好散热性能的应用场景。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：32A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：8.3mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：83W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
LH5P832-12 MOSFET具备多个优良特性，首先，其低导通电阻使其在高电流工作时具有更低的功率损耗，从而提升系统效率。此外，该器件的高电流承受能力（最高32A）使其适用于高功率密度设计。器件的栅极驱动电压范围宽广（最大±20V），提高了设计的灵活性，并增强了在不同工作条件下的稳定性。
该MOSFET的TO-220封装不仅提供了良好的热管理性能，还便于安装在散热片上，以应对高功率应用场景中的热量积累问题。这种封装形式也确保了在工业环境中的稳定性和耐用性。
LH5P832-12在高温环境下仍能保持稳定工作，最高工作温度可达175°C，这使其非常适合用于汽车电子、电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及工业自动化设备等对可靠性和稳定性要求较高的系统中。
LH5P832-12 MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：电源供应器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制器、UPS不间断电源、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等，其高可靠性和耐温性能使其在严苛环境中表现出色。
R6035KNZ4, IRF1404, FDP33N10, SiHF33N10
