LH5JBM02 时间：2025/8/27 17:41:52 阅读：12

LH5JBM02 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点。LH5JBM02 主要面向DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及各种高功率电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.3mΩ（典型值）@Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：180W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：H8FL（表面贴装）

特性

LH5JBM02 MOSFET采用了罗姆先进的沟槽结构技术，提供了非常低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
　　该器件具有较高的电流承载能力和热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
　　LH5JBM02的封装形式为H8FL，具备良好的散热性能，有助于提高器件在高功率密度应用中的稳定性。
　　此外，该MOSFET具备优异的开关特性，能够实现快速的开关转换，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等场合。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V~15V驱动电压，兼容多种驱动电路设计。