LH531VT5 时间：2025/8/27 17:16:54 阅读：4

LH531VT5 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的电子元器件，通常用于功率管理和电源控制领域。该器件是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动电路等多种应用场合。LH531VT5采用T5型封装，具备良好的散热性能，适合在需要高效能和紧凑设计的电路中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：T5

特性

LH531VT5 是一款高性能的N沟道MOSFET，具备多项优良特性。其主要优势之一是低导通电阻（Rds(on)），典型值为28mΩ，这使得在高电流工作时能显著降低功耗，提高系统效率。此外，该器件的漏源电压为30V，栅源电压范围为±20V，具备较强的电压耐受能力，适合多种电源管理应用。
　　该MOSFET的最大连续漏极电流为6A，适用于中等功率的开关应用，例如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动器。其T5封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定的运行温度。
　　LH531VT5的开关特性也十分出色，具备较快的上升和下降时间，能够有效减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。此外，该器件的内部结构设计优化了热阻，提高了器件在高温环境下的可靠性。
　　由于其高可靠性和优良的电气性能，LH531VT5被广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信设备以及汽车电子系统中。它的封装形式也便于在PCB上安装和焊接，适合批量生产和自动化装配。

应用

LH531VT5 常用于各种电源管理和功率控制电路中。具体应用包括但不限于：DC-DC转换器中的高侧或低侧开关、负载开关控制、电池供电设备中的电源管理模块、电机驱动电路、LED照明驱动器以及各种需要高效功率开关的嵌入式系统。此外，该器件也适用于需要高可靠性和紧凑设计的工业和汽车电子应用，例如智能电表、便携式充电设备和车载电源管理系统。