类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大30mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP-8

LH5317YG采用了罗姆先进的沟槽结构技术，使得该器件在保持小尺寸的同时具备更低的导通电阻和更高的电流处理能力。这种结构优化了电场分布，减少了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体效率。此外，LH5317YG具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行，延长了设备的使用寿命。
　　该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压达到30V，适用于多种电源管理场景。其栅极驱动电压范围为±20V，确保了在各种应用中的稳定性。LH5317YG的连续漏极电流可达10A，能够支持高功率输出需求。
　　封装方面，LH5317YG采用SOP-8封装，体积小巧，便于集成到紧凑型电路设计中。该封装支持表面贴装技术，适合大规模自动化生产流程。此外，LH5317YG的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，使其适用于各种恶劣环境条件下的应用。

广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. DC-DC转换器：适用于高效率升压、降压及反相转换器电路。
　　2. 电池管理系统：用于电池充放电控制及保护电路。
　　3. 负载开关：适用于电源管理模块中的开关控制。
　　4. 电机驱动：支持小型电机、风扇、泵等设备的驱动控制。
　　5. 电源适配器与充电器：用于提高转换效率并减小设备体积。
　　6. 工业控制系统：适用于各种工业自动化设备中的电源管理。

Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, AO4410, NTD10N03R2G