时间：2025/8/28 22:53:39
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LH5164AN-10L 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 CMOS 型静态随机存取存储器（SRAM），属于低功耗高速 SRAM 系列。该器件采用 28 引脚 DIP 封装，具有 16K x 4 位的存储容量，适用于多种嵌入式系统和工业控制设备。LH5164AN-10L 的最大访问时间（tRC）为 100 ns，支持高速数据读写操作。
容量：16K x 4 位
组织方式：16K 地址 x 4 数据位
电源电压：4.5V 至 5.5V
最大访问时间：100 ns
封装类型：28 引脚 DIP
工作温度范围：0°C 至 +70°C
读取电流（典型值）：10 mA
待机电流（典型值）：10 μA
LH5164AN-10L 具备低功耗和高速访问的双重优势，适合对功耗敏感但需要快速响应的应用场景。其 CMOS 工艺保证了低静态电流，从而减少待机时的能耗。该芯片支持全地址解码，确保所有地址空间都能被正确访问，并且具有双向数据总线，简化了与外部控制器的连接。
该 SRAM 在工业级温度范围内稳定运行（0°C 至 +70°C），适合用于工业自动化、仪表、通信设备等领域。其封装形式为 28 引脚 DIP，便于插拔和维护，适用于开发原型和小批量生产环境。
LH5164AN-10L 的高速特性使其能够匹配大多数中高速微处理器和控制器的时序要求，减少系统等待时间，提高整体性能。此外，该器件的高抗干扰能力确保在复杂电磁环境中仍能保持数据完整性。
LH5164AN-10L 广泛应用于工业控制系统、测量仪器、通信模块、数据采集设备以及各种嵌入式系统中。它特别适用于需要中等容量高速存储、低功耗设计和工业级稳定性的场合。例如，在自动化生产线的控制器中，它可以作为高速缓存或临时数据存储器；在智能仪表中，可用于存储测量数据和校准参数；在通信设备中，则可作为协议处理或缓冲存储器使用。
LH5164AN-10L 可以替换为 LH5164AN-10LLC 或者 CY62167EVLL-45ZSXE 作为替代方案。
