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LH5164AH-10L 发布时间 时间:2025/8/28 3:52:55 查看 阅读:1

LH5164AH-10L是一款高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM),容量为16K位(2K x 8),采用先进的CMOS技术制造,适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片具有宽电压工作范围,适合多种工业和商业应用。

参数

容量:16K位(2K x 8)
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:10ns
  封装形式:28引脚SSOP、28引脚SOIC等
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  输入/输出电平:兼容CMOS/TTL
  功耗:典型待机电流为10μA,工作电流取决于频率

特性

LH5164AH-10L具备高速访问能力,其访问时间仅为10ns,适合用于需要快速响应的系统中。其低功耗特性在待机模式下尤为明显,非常适合电池供电设备使用。该芯片采用了先进的CMOS工艺,具有良好的抗干扰能力和稳定性。此外,LH5164AH-10L的工作电压范围较宽,能够在2.3V至3.6V之间稳定运行,适应不同的电源设计需求。该器件支持TTL和CMOS输入/输出电平兼容,增强了其在不同系统中的适用性。LH5164AH-10L还提供了多种封装选项,便于根据具体应用选择合适的封装形式,以满足空间限制和热管理需求。

应用

LH5164AH-10L广泛应用于各种嵌入式系统、数据采集设备、工业控制设备、通信模块、便携式电子产品以及需要高速、低功耗存储的场合。由于其高速和低功耗特性,该芯片特别适用于缓存、缓冲存储器以及需要频繁读写操作的系统中。

替代型号

AS7C3164A-10TC、CY62167EAV25-45ZSXI、IDT7164SA12P、IS61LV164AL-10B4

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