时间：2025/8/28 7:04:11
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LH5116N-10 是一款由Intersil公司设计的高速、低功耗的16位静态随机存取存储器（SRAM）。这款芯片主要用于需要快速数据存取的应用，例如计算机内存、网络设备和工业控制系统等。LH5116N-10 的存取时间仅为10纳秒，使其成为高速存储器解决方案的首选之一。
容量：16K x 8位（128Kbit）
电压：5V工作电压
存取时间：10ns
封装：28引脚DIP或SOIC
工作温度：工业级（-40°C至+85°C）
数据保持电压：2V
功耗：典型工作电流约200mA
LH5116N-10 具备高速存取能力，其10ns的访问时间可以满足高性能系统对存储器响应速度的需求。该芯片采用CMOS技术制造，具有较低的功耗，同时在待机模式下功耗更低，有助于提高系统的能效。
此外，LH5116N-10 的封装设计适用于工业级应用，能够在较宽的温度范围内稳定运行，确保在严苛环境下依然可靠。其28引脚DIP或SOIC封装形式也便于PCB布局与焊接，适合批量生产。
该芯片还支持数据保持功能，在低电压（最低2V）情况下仍可保持数据完整性，适用于需要数据持久保存的应用场景。其高可靠性和稳定性，使其广泛用于嵌入式系统、工业控制器、网络交换设备和通信基础设施。
LH5116N-10 常被用于需要高速数据处理的系统中，例如工业计算机、通信设备、网络路由器和交换机、测试仪器以及军事和航空航天电子系统。由于其低功耗和高速性能，它也适用于需要临时存储大量数据的缓冲器或缓存应用。此外，该芯片还广泛用于需要数据快速读写和保持的嵌入式系统和控制器设计中。
AS7C31026C-10TCN、CY62148EVLL-10ZS、IDT71V124SA10PFG
