时间：2025/8/24 22:42:21
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FDD6679AZ 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，例如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。FDD6679AZ 采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻、高开关性能和良好的热稳定性，适用于各种高性能电源管理系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：75A
导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：170W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerPAK SO-8
FDD6679AZ 功率 MOSFET 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻 RDS(on)，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。其 N 沟道结构和高电流能力使其非常适合用于同步整流器和 DC-DC 转换器中的高边和低边开关。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，从而在高频应用中实现更高的效率。
该器件采用 PowerPAK SO-8 封装，具有优异的热管理和小型化设计，适合在高密度 PCB 布局中使用。封装结构还提供了良好的机械稳定性和抗热疲劳性能，确保在高温环境下长期可靠运行。FDD6679AZ 的工作温度范围宽广（从 -55°C 到 175°C），适用于各种严苛的工作环境，包括汽车电子和工业控制领域。
此外，FDD6679AZ 具有出色的雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或电感反冲情况下提供更高的稳定性和耐久性。这种特性使其在电源管理应用中更加可靠，尤其是在负载突变或短路等异常条件下，能够有效防止器件损坏。
FDD6679AZ 主要应用于需要高效率和高频率开关性能的电源系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电源管理单元（PMU）以及各种工业和汽车电子系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率密度设计中的理想选择。
在服务器电源、笔记本电脑电源适配器以及电动汽车（EV）充电系统中，FDD6679AZ 也常用于提升转换效率并降低热损耗。由于其优异的热管理能力和小型封装，它特别适合用于空间受限且需要高可靠性的设计中。
Si7490DP, FDS6679, FDD6680AS, BSC080N03MS
