容量：16K 位（2K x 8）
　　电压范围：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：10ns
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：28 引脚 DIP
　　封装尺寸：约 300mil
　　功耗（典型）：120mA（工作模式）
　　待机电流：10mA
　　数据保持电流：10mA
　　输出类型：三态

LH5116HN10 SRAM 芯片具有多项优良特性，能够满足高性能嵌入式系统和工业控制设备的需求。其高速访问时间（10ns）使其适用于需要快速数据存取的应用，例如实时控制系统、数据缓冲和高速缓存。该芯片采用 CMOS 工艺，具备低功耗特性，在待机模式下仅消耗 10mA 的电流，有助于延长设备的使用寿命并减少散热问题。LH5116HN10 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
　　此外，该芯片支持三态输出，能够有效隔离数据总线，避免总线冲突，提高系统的可靠性。其电源电压范围为 4.5V 至 5.5V，兼容标准的 5V 逻辑电平，便于与多种微处理器和外围设备集成。在数据保持模式下，LH5116HN10 只需 10mA 的电流即可维持数据不丢失，非常适合低功耗备用系统使用。

LH5116HN10 广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的嵌入式系统和工业设备中。常见的应用包括工业控制器、PLC（可编程逻辑控制器）、通信设备、测试仪器、数据采集系统以及各种需要临时存储数据的微处理器系统。由于其高速读写能力，LH5116HN10 也可用于图像处理设备、音频缓冲存储器以及高速缓存应用。此外，该芯片的稳定性和宽温工作范围使其在车载电子设备、安防系统和自动化控制设备中也具有广泛的应用前景。

AS7C256A-10TCN、CY62148EAVTA10Z、IS62WV2568BLL-45BLI、HM62256BLP-10、LH5116DN10