LH4033CN 时间：2025/8/20 20:20:26 阅读：23

LH4033CN 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率的开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场合。LH4033CN 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件封装为 TO-220，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：180A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.3mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

LH4033CN 具有出色的电性能和热性能，能够在高频率和高电流条件下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件采用了先进的沟槽式结构，增强了电流密度和热稳定性，适用于高功率密度设计。LH4033CN 的高栅极电荷（Qg）特性使其适用于中等频率的开关应用，平衡了开关损耗与导通损耗。此外，该 MOSFET 具有良好的热阻特性，能够有效散发热量，延长器件使用寿命。其 TO-220 封装形式便于安装和散热，适用于多种工业和消费类应用。
　　LH4033CN 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，适合与多种驱动电路配合使用。其具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。此外，LH4033CN 的反向恢复特性优异，适用于需要快速开关的电路中。该器件还具有良好的雪崩能量承受能力，提升了在极端工作条件下的可靠性。

应用

LH4033CN 主要用于高性能电源系统，如同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、电源分配系统以及工业自动化设备等。其高电流能力和低导通电阻使其特别适合用于大功率应用中，如电动工具、电动车辆、储能系统和服务器电源等。此外，LH4033CN 也常用于开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器，以提高整体效率并减少热量产生。