LH40-10B03A6是一种高压功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关特性,使其在高频率操作条件下依然能够保持出色的性能表现。LH40-10B03A6常用于DC-DC转换器、电机控制器以及电池管理系统等领域。
型号:LH40-10B03A6
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):3mΩ
最大功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55℃~175℃
封装类型:TO-247
栅极电荷(Qg):90nC
漏源击穿电压(BVdss):100V
阈值电压(Vgs(th)):4V
LH40-10B03A6的沟槽式结构使其具有极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗并提高了效率。此外,该器件具有较高的击穿电压(100V),能够在高电压环境下稳定工作,适合于需要高电压隔离的应用场景。其高漏极电流(40A)能力确保了在大电流负载下依然保持稳定的性能表现。LH40-10B03A6还具有优异的热管理能力,能够在高温环境下持续运行而不会导致性能下降。
该器件的快速开关特性使得它在高频率操作条件下表现优异,有助于减小外围电路的体积并提升整体系统效率。同时,LH40-10B03A6具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能,能够有效防止由于过电流或短路引起的损坏,从而提高系统的可靠性和安全性。
LH40-10B03A6广泛应用于多种电力电子系统中,包括但不限于:高效率DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、电机驱动器、UPS不间断电源、工业自动化控制系统、电动车充电设备、太阳能逆变器等。其高电压和大电流的特性使其成为各种高功率密度电源应用的理想选择。在电机控制应用中,LH40-10B03A6可以提供高效的功率转换和稳定的性能,确保设备在复杂工况下正常运行。而在电池管理系统中,该器件则可以用于精确控制电池充放电过程,保护电池组免受过流和短路的损害。
SiHF40N100DD-GE3, IXFH40N100P, FDPF40N100FD