LH28F800SGHE-L10 是一颗由Renesas(原Intersil)推出的8Mbit(512K x 16)的Flash存储器芯片,属于高性能、低功耗的CMOS闪存器件系列。该芯片广泛应用于需要可靠非易失性存储解决方案的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块以及其他需要快速读取操作的场景。LH28F800SGHE-L10 支持高速异步读取操作,具备10ns的访问时间,适用于高性能数据存储和代码执行(Execute-in-Place, XIP)需求。
容量:8Mbit(512K x 16)
电压范围:3.3V ± 0.3V 或 5V ± 10%
访问时间:10ns(最大)
封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
引脚数量:56引脚
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装尺寸:标准TSOP封装
接口类型:异步SRAM接口
数据保持时间:大于10年
擦写周期:100,000次(典型)
LH28F800SGHE-L10 是一款专为嵌入式系统设计的高性能Flash存储器芯片,具备多项先进特性。首先,其高速访问时间为10ns,确保在高性能处理器系统中能够实现快速代码执行,无需将代码复制到RAM中,从而节省系统资源和提高效率。
其次,该芯片支持多种电源电压(3.3V或5V),使其兼容性强,适用于不同电压平台的系统设计。低功耗设计使其在待机模式下电流极低,适合对功耗敏感的应用场景。
该芯片还支持软件控制的块擦除和写入保护功能,用户可以通过特定的命令序列对部分存储块进行保护,防止关键数据被意外擦除或改写。这种特性对于需要固件更新同时保持部分数据不变的应用(如系统引导代码)尤为关键。
此外,LH28F800SGHE-L10 提供了标准的异步SRAM接口,兼容大多数嵌入式处理器的存储器控制器,简化了硬件设计和软件驱动开发。其封装为56引脚TSOP,适合在空间受限的PCB布局中使用。
最后,该芯片具有高达100,000次的擦写周期,数据保存时间超过10年,适用于需要频繁更新和长期稳定运行的应用场景。
LH28F800SGHE-L10 主要应用于嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信模块、网络设备、医疗仪器、车载电子系统、消费类电子产品等需要非易失性存储和高速代码执行的场合。它也常用于固件存储、引导代码存储、图形数据存储等场景,适用于需要高可靠性与高性能的系统。
LH28F800SHE-L10, LH28F160SAGHE-L10, SST39LF800A, AM29LV800DB