容量：8 Mbit（1M x 8）
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：56
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　访问时间：70ns
　　读取电流：10mA（典型值）
　　待机电流：10μA（最大值）

LH28F800BJR-PBR-PBTL70 闪存芯片具备多种优良特性，确保其在各种复杂环境下的稳定运行。首先，它的工作电压范围为 2.7V 至 3.6V，使其适用于多种电源设计，并具有良好的抗噪能力。其次，该芯片的访问时间为 70ns，能够满足大多数嵌入式系统的高速读取需求。此外，LH28F800BJR-PBR-PBTL70 采用 TSOP 封装，引脚数为 56，体积小巧，适合高密度 PCB 布局。芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，符合工业级标准，适用于恶劣环境下的长期运行。
　　在功耗方面，该芯片的读取电流典型值为 10mA，待机电流最大为 10μA，具有良好的节能效果。LH28F800BJR-PBR-PBTL70 还内置了错误检测与纠正机制，提高数据的完整性与可靠性。此外，该芯片支持软件和硬件写保护功能，防止意外擦除或编程，从而保护关键数据的安全。

LH28F800BJR-PBR-PBTL70 闪存芯片广泛应用于需要非易失性存储和高可靠性的嵌入式系统中。例如，它常用于工业控制设备、通信模块、医疗仪器、消费电子产品中的固件存储。由于其宽温度范围和低功耗特性，也适合用于车载电子系统、智能仪表和远程监控设备中。此外，该芯片还可用于网络设备和安全系统，以确保持久稳定的运行。

LH28F800BJB-PBH-PBTL70, LH28F800BJH-PB9-PBTL70, LH28F160BJR-PBR-PBTL70