容量：8Mbit（1M x 8）
　　电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：85ns（最大）
　　封装：48-TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　操作模式：异步读写
　　擦除方式：块擦除
　　数据保持时间：大于10年
　　编程方式：字节编程
　　

LH28F800BGN-TL85 是一款高性能的Flash Memory芯片，具备多项先进的功能和特性，适用于多种嵌入式系统和工业应用。其主要特性包括宽电压工作范围（2.7V至3.6V），这使得它能够兼容多种电源系统，提升了设计的灵活性。该芯片支持85ns的快速访问时间，能够满足对数据读取速度有较高要求的应用需求。
　　该芯片采用异步接口，兼容多种微控制器和处理器的总线协议，简化了系统集成过程。LH28F800BGN-TL85支持字节编程和块擦除功能，用户可以灵活地进行数据更新和维护。此外，该芯片内置写保护功能，可以在硬件或软件层面防止误写入和误擦除，提高数据的安全性。
　　在可靠性方面，LH28F800BGN-TL85具有高耐用性，可支持10万次以上的编程/擦除周期，并且数据保存时间超过10年。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种恶劣环境条件下的稳定运行。芯片还具备低功耗模式，能够在不使用时显著降低功耗，延长电池寿命，适用于便携式和低功耗设备。

LH28F800BGN-TL85广泛应用于需要非易失性存储的嵌入式系统中，如工业控制设备、通信模块、消费类电子产品、汽车电子系统、测量仪器等。由于其高速访问时间和低功耗特性，该芯片也常用于数据存储、固件存储、图形存储等场景。例如，在工业自动化设备中，LH28F800BGN-TL85可以用于存储控制程序和校准数据；在通信设备中，可用于存储配置参数和引导代码；在消费电子产品中，如数码相机、便携式音频设备等，可用于存储系统固件和用户数据。
　　此外，由于该芯片具备较高的稳定性和耐用性，特别适合用于需要频繁更新数据的场合，例如智能电表、医疗设备和安全监控系统。LH28F800BGN-TL85的异步接口和兼容性设计，使其能够轻松集成到多种系统架构中，为开发人员提供了更高的灵活性和便利性。

AM29F800BT-90SI, M58BW008UQ5T-85