类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：12A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　最大功耗（Ptot）：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2N4940 MOSFET具有多个关键特性，使其适用于多种功率应用。首先，其漏源电压高达500V，使其适用于高电压应用，如电源转换和电机控制。其次，最大漏极电流为12A，即使在较高温度下也能保持良好的导通性能。该器件的导通电阻（Rds(on)）为0.35Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为2V至4V，允许使用标准逻辑电平进行驱动，适用于多种控制电路。此外，其TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定工作。2N4940还具有较高的雪崩能量耐受能力，有助于在突发电压冲击下保护电路。
　　该器件的开关速度快，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路。同时，其热阻较低，有助于减少工作时的温升，提高可靠性。2N4940的长期稳定性使其成为工业控制、家电和自动化系统中的常用器件。

2N4940广泛应用于多种功率电子系统中。最常见的应用包括开关电源（SMPS），其中该MOSFET用于高效地切换高电压和高电流。在电机驱动电路中，它可用作H桥的高侧或低侧开关，实现对直流电机或步进电机的精确控制。此外，2N4940也常用于DC-DC转换器，如升压（Boost）和降压（Buck）转换器，以提高能量转换效率。
　　该器件还适用于负载开关电路，例如智能电源管理模块，可控制大功率负载的通断。由于其良好的耐压能力和较高的电流容量，2N4940也可用于LED照明驱动、不间断电源（UPS）系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。在一些家用电器中，如微波炉、洗衣机和电风扇中，它也常被用作主开关或继电器替代方案。

2N4940的替代型号包括STP12NM50、IRFBC20、IRF4905、FDP4940、SiHP4940BD等。这些器件在电压、电流和导通电阻方面具有相近的特性，适合在相似应用中使用。选择替代型号时需注意封装形式、驱动电压和热管理要求，以确保兼容性。