时间：2025/8/28 6:21:34
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LH28F800BGHE-TTL10 是一款由Renesas（原Intersil）生产的8位高性能静态随机存取存储器（SRAM），专为高速数据存储应用设计。该器件采用高速TTL（晶体管-晶体管逻辑）兼容接口，具有低延迟和高可靠性特点，适用于需要快速数据存取的工业控制、通信设备和嵌入式系统。该SRAM的容量为512K位（64K x 8），工作电压为3.3V至5.0V，支持宽电压范围操作。
容量：512K位（64K x 8）
接口类型：TTL兼容
数据宽度：8位
工作电压：3.3V至5.0V
访问时间：10ns
封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装引脚数：54引脚
LH28F800BGHE-TTL10 具有出色的性能和稳定性，其高速访问时间为10ns，可满足高速系统设计的需求。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，确保低功耗和高抗干扰能力。TTL兼容的输入/输出接口使其能够轻松集成到现有系统中，无需额外的电平转换电路。此外，该器件支持异步操作，具有地址和数据总线的三态控制，便于多芯片扩展和总线共享应用。其宽电压工作范围（3.3V至5.0V）增强了系统的兼容性和灵活性。
在可靠性方面，LH28F800BGHE-TTL10 符合JEDEC标准，并通过了严格的工业级测试，能够在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作。封装采用54引脚TSOP形式，有助于节省PCB空间并提高系统集成度。此外，该SRAM具有自动掉电模式，可在低功耗状态下保持数据完整性，适用于对功耗敏感的应用场景。
LH28F800BGHE-TTL10 主要用于需要高速、低延迟存储器的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络交换设备以及测试测量仪器。其高速访问时间和TTL兼容接口使其特别适合与DSP（数字信号处理器）、FPGA（现场可编程门阵列）和微控制器（MCU）配合使用，作为高速缓存或临时数据存储单元。此外，由于其宽电压范围和工业级温度适应能力，该芯片也广泛应用于恶劣环境下的工业自动化和控制系统中。
ISSI IS61LV25616-10B4I、Cypress CY62148EALL、Alliance AS7C34098C-10JC、Renesas IDT71V416SA10PFG
