容量：8Mbit（1M x 8）
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：56-TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行（x8）
　　读取电流：最大 20mA
　　待机电流：最大 10μA
　　擦写周期：100,000 次
　　数据保持时间：10 年

LH28F800BGHE-TIL10 是一款高性能、低功耗的 NOR Flash 存储器芯片，专为嵌入式系统设计。该芯片支持快速随机读取操作，访问时间仅为 70ns，确保了代码的快速执行。其 8Mbit 的存储容量适用于存储引导代码、固件和小型操作系统。芯片采用 2.7V 至 3.6V 的宽电压范围供电，增强了电源适应性，适用于多种应用场景。LH28F800BGHE-TIL10 还具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，适合用于电池供电设备。
　　此外，该芯片支持块擦除和字节编程功能，允许用户灵活管理存储内容。其内置的擦写控制器和自动擦写算法提升了编程效率和可靠性。芯片具备高抗干扰能力和良好的数据保持性能，可在恶劣环境中稳定工作长达 10 年。LH28F800BGHE-TIL10 采用 56-TSOP 封装形式，便于在 PCB 上安装和布线，适合用于工业控制、通信设备、汽车电子等对可靠性要求较高的领域。

LH28F800BGHE-TIL10 主要应用于嵌入式系统的代码存储，如工业控制器、路由器、交换机、打印机、汽车导航系统、医疗设备以及消费类电子产品中的固件存储。由于其工业级温度范围和高可靠性，特别适用于对环境适应性要求较高的场景。

M29F800TB-70B1R43 M29F800TBA-70B1R43 AM29LV800BT-70RE M29F800BB-70B1R43