容量：16MB (160Mbit)
　　组织结构：16位数据总线
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　读取访问时间：55ns / 70ns（根据后缀）
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行异步接口
　　封装引脚数：56
　　读取电流（典型值）：15mA
　　待机电流（典型值）：10μA

LH28F160S3HNS-S5 是一款高性能并行NOR Flash 存储器，具备出色的读取速度和低功耗特性，适用于多种嵌入式应用场景。该芯片采用16位并行数据总线接口，支持高速数据访问，其最大读取访问时间可达55ns，使得系统在执行代码（XIP，Execute In Place）时无需将程序加载到RAM，从而减少系统资源消耗并提高启动速度。
　　该器件支持3.3V单电源供电（I/O电压为2.7V至3.6V兼容），降低了系统电源设计的复杂性，同时提高了系统的稳定性和兼容性。其低待机电流（典型值仅为10μA）进一步延长了电池供电设备的续航时间。
　　LH28F160S3HNS-S5 采用TSOP（Thin Small Outline Package）56引脚封装，适用于空间受限的高密度电路设计。芯片支持-40°C至+85°C的工业级宽温工作范围，确保在极端环境下的稳定运行，适用于工业控制、车载设备和通信模块等高可靠性要求的场景。
　　该NOR Flash 内部集成了多种高级功能，包括软件数据保护机制、块锁定功能和错误检测功能，有效防止误擦除和误写入。同时支持快速页模式读取，进一步提升数据吞吐率。其擦写周期可达10万次，数据保存时间长达10年，适用于需要频繁更新程序或数据的系统。

LH28F160S3HNS-S5 主要应用于需要高性能、低功耗和高可靠性的嵌入式系统，如工业控制设备、通信模块（如路由器、交换机）、汽车电子控制系统（如车载信息娱乐系统、ECU）、智能仪表、消费类电子产品（如智能家电、安防设备）等。由于其支持XIP模式，非常适合用于存储启动代码和操作系统镜像，实现快速启动和高效运行。

LH28F160S3HNS-S5 的替代型号包括 Intel StrataFlash? 系列的E28F160S3HNS-S5、Renesas LH28F160S3HNS-S5E 和 LH28F160S3TNS-S5，以及Spansion S29GL128P、Micron M29W160EB 等具有相似容量和接口特性的NOR Flash芯片。选择替代型号时需注意工作电压、封装类型、访问时间和兼容性等因素。