时间：2025/9/6 4:38:37
阅读：5
LTL2H3KSK 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及其他需要高效能功率控制的场合。该器件采用小型 TSMT4 封装，具备良好的热性能和电气性能，适合在空间受限的设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：6A
功率耗散（PD）：1.25W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSMT4
LTL2H3KSK MOSFET 采用了先进的沟槽式工艺，提供了较低的导通电阻（RDS(ON)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。该器件的栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
其 TSMT4 封装不仅体积小巧，便于在高密度 PCB 布局中使用，而且具有良好的散热性能，有助于在高电流条件下维持稳定的工作温度。此外，该 MOSFET 内部集成了静电放电（ESD）保护功能，提高了器件在实际应用中的可靠性。
LTL2H3KSK 还具有快速开关特性，能够在短时间内完成导通和截止操作，减少了过渡过程中的能量损耗。这种特性对于需要快速响应的电源管理应用尤为重要。此外，该器件的制造工艺符合 RoHS 环保标准，适用于各种绿色电子设备的设计。
LTL2H3KSK 通常用于便携式电子设备的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备等。由于其高效率和小尺寸特性，非常适合用于负载开关、电池保护电路以及 DC-DC 升压/降压转换器。
在工业自动化和控制系统中，该 MOSFET 可用于电机驱动、继电器控制和传感器供电等场景。此外，在 LED 照明系统中，LTL2H3KSK 可作为恒流源开关，实现对 LED 的高效驱动。
该器件还可用于通信设备中的电源管理电路，如基站电源模块、路由器和交换机等。在汽车电子系统中，如车载充电器、LED 灯具和车载信息娱乐系统中也有广泛应用。
Si2302DS, FDN340P, AO3400, NTD14N02LT
