容量：16Mbit
　　组织结构：1M x 16
　　电压范围：3.0V - 3.6V
　　访问时间（tRC）：100ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：56
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　擦除块大小：多个可配置块
　　编程时间：每个字节或字编程时间约为7μs

LH28F160S3B-L10A 是一款高性能的并行Flash存储器，具备多项先进的技术特性。首先，它采用了先进的CMOS技术和Flash存储单元设计，能够在低电压下稳定运行，同时保持较低的功耗。其100ns的访问时间确保了快速的数据读取能力，适用于实时系统中的程序存储和数据记录。
　　该芯片支持页编程和块擦除操作，允许用户灵活地管理存储内容。每个擦除块可以独立进行擦除操作，从而提高了存储管理的效率和灵活性。此外，LH28F160S3B-L10A 还具备自动编程和自动擦除功能，减少了主控处理器的负担，提高了系统整体的运行效率。
　　在可靠性和耐用性方面，LH28F160S3B-L10A 表现优异。其数据保存时间可达10年以上，并支持10万次以上的编程/擦除周期，适合需要频繁更新数据的应用场景。该芯片还内置了错误检测和纠正机制，能够在复杂电磁环境下保持数据的完整性。
　　为了适应不同的应用环境，LH28F160S3B-L10A 提供了宽温度范围（-40°C 至 +85°C）的工作能力，确保在极端温度条件下也能稳定运行。TSOP封装形式不仅节省空间，还具有良好的热稳定性和机械强度，适合用于紧凑型电子设备。

LH28F160S3B-L10A 常用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中。例如，在汽车电子领域中，它可以用于存储发动机控制程序、车载导航系统数据或车载娱乐系统内容。在工业控制领域，该芯片可以作为PLC（可编程逻辑控制器）或工业计算机的程序存储器，提供稳定可靠的代码和数据存储。此外，它还适用于通信设备、消费电子产品以及智能仪表等应用场景。
　　由于其高速访问能力和低功耗特性，LH28F160S3B-L10A 也常用于需要频繁读写操作的设备中，如数据记录仪、智能卡读写器和安全监控系统。在需要长时间运行且维护成本较高的系统中，该芯片的高耐用性和长数据保存时间也使其成为理想的选择。

LH28F160S3B-L10A 可以被 LH28F160S3T-L10A、LH28F160S3B-L95A 和 LH28F160S3T-L95A 等型号替代。