LH28F160BJD 时间：2025/8/28 17:01:51 阅读：14

LH28F160BJD是一款由Intel生产的16Mbit（2MB）的闪存芯片，属于其LH28F系列。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有高性能、低功耗和高可靠性。LH28F160BJD主要用于嵌入式系统和需要非易失性存储器的应用，例如工业控制、通信设备和消费电子产品。该芯片采用56引脚TSOP封装，具有较高的封装密度，适合空间受限的设计。Intel的LH28F系列以其出色的耐用性和数据保持能力而著称，LH28F160BJD也不例外，具备较长的数据存储寿命，适用于需要频繁更新和长期存储的应用场景。

参数

容量：16Mbit
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　封装类型：56-TSOP
　　接口类型：并行
　　访问时间：70ns / 90ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　擦除周期：100,000次
　　编程周期：100,000次
　　数据保持时间：10年

特性

LH28F160BJD是一款高性能的并行NOR闪存芯片，具有16Mbit的存储容量，适用于需要快速访问和可靠存储的嵌入式应用。该芯片支持标准的异步总线接口，兼容多种微处理器和控制器，便于系统集成。其低功耗设计使其适用于电池供电设备，同时具备宽温工作范围，适用于工业级环境。芯片内置的命令寄存器允许通过标准总线接口执行写入、擦除和锁定等操作，增强了使用的灵活性。LH28F160BJD还支持块锁定功能，允许用户保护特定的内存区域，防止意外擦除或写入。此外，该芯片具备高耐用性，可支持高达10万次的擦除和编程周期，并保证10年的数据保持能力。Intel为该芯片提供了详细的技术文档和应用指南，便于开发者进行调试和优化。
　　LH28F160BJD的另一大特点是其具备高性能的随机读取能力，访问时间仅为70ns或90ns（根据具体型号），使其适用于需要快速加载代码和数据的应用场景。该芯片还支持软件数据保护机制，防止在电源不稳定或系统复位期间发生误操作。此外，LH28F160BJD采用了CMOS工艺，具备良好的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定工作。该芯片的这些特性使其成为工业控制、汽车电子、网络设备和消费电子等领域的理想选择。