容量：16MB（1M x16）
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：90ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：56
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　接口类型：并行（x16）
　　擦除块大小：可变块架构
　　编程电压：内部产生
　　最大读取电流：15mA
　　待机电流：10mA

LH28F160BHE-TTL90是一款高性能的并行闪存芯片，其主要特性包括可变块架构，允许用户根据需要对不同大小的存储块进行擦除操作，从而提高存储效率。该芯片支持多种操作模式，包括读取、编程、擦除和备用模式，满足不同应用场景的需求。其90ns的快速访问时间确保了系统运行的高效性，适用于需要频繁读取和更新数据的设备。
　　该芯片还具备较强的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。此外，LH28F160BHE-TTL90支持硬件和软件写保护功能，防止意外数据丢失或损坏，增强了系统的可靠性。其低功耗设计也适用于对能耗敏感的应用场景，如便携式设备和远程控制系统。
　　在封装方面，TSOP封装形式不仅节省空间，还提升了高频工作下的信号稳定性，适合高速数据传输需求。LH28F160BHE-TTL90具备广泛的工业温度适应能力（-40°C至+85°C），适用于工业控制、通信设备和汽车电子等多种环境。

LH28F160BHE-TTL90广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、测试仪器以及汽车电子系统等领域。由于其高稳定性和大容量存储能力，该芯片常用于固件存储、程序引导、数据日志记录等功能。在工业自动化设备中，LH28F160BHE-TTL90可用于存储关键配置数据和操作程序。在通信设备中，它可用于存储设备驱动和通信协议信息。此外，该芯片也可用于便携式医疗设备、智能电表和安防监控设备等需要高可靠性和低功耗存储的场合。

LH28F160BE-TTL90, LH28F160BHE-TEL90, AMD AM29LV160DB, STM M29W160EB