时间：2025/8/28 7:57:42
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LH28F160BGHE-TTL10 是由美光科技（Micron Technology）生产的一款并行NOR闪存芯片，广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备以及需要非易失性存储的应用中。该器件具有16MB的存储容量，采用55nm制造工艺，支持多种读写模式，并具备高性能与低功耗特性。
容量：16MB
电压范围：2.7V至3.6V
封装类型：TSOP
数据总线宽度：16位
工作温度范围：-40°C至+85°C
读取访问时间：10ns
擦除时间：块擦除时间为1秒（典型值）
编程时间：每个字编程时间为10μs（典型值）
接口类型：并行异步接口
封装引脚数：56引脚
LH28F160BGHE-TTL10具备高性能和低功耗的特点，适合在嵌入式系统中作为程序存储器使用。其10ns的快速读取访问时间能够满足高速处理器的即时读取需求，提高系统响应速度。
该芯片支持多种读写模式，包括同步和异步模式，允许用户根据具体应用需求进行配置。此外，它还具备块擦除功能，可以对特定存储区域进行独立擦除，从而提高数据管理的灵活性。
为了增强系统的可靠性，该芯片集成了硬件写保护功能，可以防止意外写入或擦除操作，保护关键代码和数据不被更改。芯片内部采用先进的EFlash技术，具有良好的耐久性和数据保持能力，可确保10万次擦写周期和长达10年的数据保存。
在电源管理方面，LH28F160BGHE-TTL10具有低待机电流和低工作电流特性，有助于降低系统功耗，适用于对功耗敏感的应用场景。
该芯片主要应用于嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信模块、医疗设备、消费电子产品以及汽车电子系统中。作为非易失性存储器，它可用于存储固件、启动代码、操作系统镜像以及用户数据等关键信息。由于其工业级温度范围和高可靠性，特别适合在严苛环境下运行的设备使用。
S29GL128P10TBI010, M29W160EB-90M1B4CNZS
