您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LH28F040SUTD-Z4

LH28F040SUTD-Z4 发布时间 时间:2025/8/28 3:08:43 查看 阅读:11

LH28F040SUTD-Z4是一款由Renesas Electronics制造的闪存芯片,属于其F-RAM(Ferroelectric Random Access Memory)产品系列。这种类型的存储器结合了RAM和传统闪存的优点,具备非易失性存储特性,同时支持快速的读写操作。LH28F040SUTD-Z4主要设计用于需要高速数据存储和频繁写入操作的应用场景,例如工业控制、汽车电子、数据记录器等。该芯片采用CMOS工艺制造,确保了低功耗和高可靠性。

参数

容量:4 Mbit(512KB)
  组织结构:x8/x16位
  工作电压:3.3V或5V可选
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  访问时间:最高支持70ns
  读取/写入周期:支持高速异步读写操作
  数据保持时间:10年以上(在正常工作条件下)
  封装引脚数:56引脚

特性

LH28F040SUTD-Z4具备多项独特的技术特性,使其在众多存储器产品中脱颖而出。首先,它是一种非易失性存储器,即使在断电情况下也能保持数据完整性,无需外部电池支持。这使得该芯片非常适合用于关键数据存储,例如设备配置信息或运行日志。
  其次,该芯片支持高速读写操作,其访问时间最低可达70ns,满足了实时系统对快速响应的需求。此外,LH28F040SUTD-Z4没有传统闪存的擦写限制,可无限次进行字节级别的写入操作,大大提高了使用寿命和可靠性。
  另外,该芯片支持两种工作电压模式(3.3V或5V),增强了其在不同系统设计中的兼容性。它采用CMOS技术制造,功耗较低,尤其适用于对能耗敏感的嵌入式系统。
  为了确保在恶劣环境下的稳定性,LH28F040SUTD-Z4采用了工业级温度范围设计(-40°C至+85°C),适合在工业自动化、车载系统等复杂环境中使用。其TSOP封装形式不仅节省空间,还便于自动化生产和焊接。
  最后,LH28F040SUTD-Z4提供了多种数据保护机制,包括软件写保护和硬件写保护功能,可以防止误写入或意外擦除,保障数据安全。

应用

LH28F040SUTD-Z4广泛应用于需要高性能非易失性存储器的嵌入式系统中。例如,在工业控制系统中,它可以用于存储设备配置、运行参数和故障日志;在汽车电子系统中,可用于记录车辆运行数据、诊断信息和ECU(电子控制单元)设置;在通信设备中,可作为固件存储和缓存使用。
  此外,该芯片还适用于数据采集和记录设备,例如便携式测量仪器、环境监测系统等,能够实现高频次数据写入而无需担心存储寿命问题。在医疗设备中,LH28F040SUTD-Z4可用于存储患者数据、设备校准信息和操作日志,确保数据的安全性和完整性。
  由于其高速读写能力,该芯片也常用于需要频繁数据更新的场合,例如POS终端、条码扫描器、智能卡读写器等商业设备。

替代型号

M28F040BCB1B4A, LH28F040BEUH-Z4

LH28F040SUTD-Z4推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

LH28F040SUTD-Z4资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载