容量：16 Mbit (1M x 16)
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：90ns / 120ns（最大）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：56
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　接口类型：并行接口
　　擦除/写入电压：内部电荷泵提供
　　读取电流：最大15mA（典型值）
　　待机电流：最大5mA（典型值）

LH28F016SCR-L95 是一款高性能的并行Flash存储器，具有多项优良特性。首先，它采用了低电压设计，支持2.7V至3.6V的宽电压范围，适应多种电源系统，降低了功耗，同时也提高了系统的兼容性。其次，该芯片具备高速读取能力，访问时间最快可达90ns，能够满足对响应速度有较高要求的应用场景。
　　此外，LH28F016SCR-L95采用了先进的CMOS工艺制造，具备良好的抗干扰性和稳定性，适合在复杂电磁环境中运行。其TSOP封装结构不仅体积小巧，还具备良好的热稳定性，适用于空间受限的设计。
　　该芯片支持标准的并行接口，与多种微处理器和控制器兼容，简化了硬件设计和软件开发的难度。同时，它具备较高的擦写耐久性，支持10万次以上的擦写周期，并具有长达10年的数据保存能力，确保了长期运行的可靠性。
　　值得一提的是，LH28F016SCR-L95内置了电荷泵电路，能够自动完成擦除和编程操作所需的高压生成，无需外部提供额外的高压电源，进一步简化了外围电路设计。

LH28F016SCR-L95 主要用于需要大容量非易失性存储器的嵌入式系统和工业控制设备中。典型应用包括工业自动化控制系统、通信设备（如路由器和交换机）、测试与测量仪器、智能卡终端、医疗电子设备以及消费类电子产品（如数码相机和便携式媒体播放器）。由于其高可靠性和低功耗特性，该芯片也非常适合用于需要长时间稳定运行的户外设备和远程监控系统中。

AM29LV160DB-90WE, MX29LV160ECT-90G, S29GL128P10TBI03