时间：2025/9/2 7:53:12
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H5TQ2G83BFR-RDC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，广泛应用于移动设备、嵌入式系统和高性能计算设备中，提供高速数据存取和低功耗特性。该芯片具有2Gb的容量，采用BGA（球栅阵列）封装技术，适用于紧凑型设计和高密度集成。
容量：2Gb
类型：LPDDR4 SDRAM
封装：BGA
工作电压：1.1V（VDD）/1.8V（VDDQ）
数据速率：3200Mbps
位宽：x8
时钟频率：1600MHz
封装尺寸：8mm x 12mm
工作温度范围：-40°C至+85°C
H5TQ2G83BFR-RDC 采用先进的DRAM制造工艺，具备出色的性能和能效。其LPDDR4架构支持高达3200Mbps的数据传输速率，使设备能够实现更快的数据处理和更低的延迟。此外，该芯片的工作电压较低，主电压为1.1V，I/O电压为1.8V，显著降低了整体功耗，延长了移动设备的电池续航时间。
该芯片采用8mm x 12mm的BGA封装形式，具有良好的热稳定性和电气性能，适用于高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行。
此外，H5TQ2G83BFR-RDC 支持多种低功耗模式，如自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），进一步优化系统能效。其内置的温度补偿自刷新（TCSR）功能可确保数据在高温环境下保持完整。
H5TQ2G83BFR-RDC 广泛应用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、汽车电子系统以及高性能嵌入式计算平台。该芯片特别适用于需要高带宽和低功耗的场景，如图形处理、视频流传输、AI加速计算和实时数据处理。
H5TQ2G83EFR-RDC, H5TQ2G83BFR-PBC, H5TQ1G83AFR-RDC
