容量：16Mbit
　　组织方式：1M x16位
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：90ns
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP
　　封装引脚数：54
　　最大工作频率：约11MHz
　　输入/输出电压兼容性：3.3V和5V兼容
　　最大功耗：典型180mA（工作模式）
　　待机电流：最大10mA

LH28F016SAHT-90 是一款具有高性能和高可靠性的异步SRAM，专为高速数据存储应用设计。其访问时间仅为90ns，能够支持高达11MHz的时钟频率，满足对快速数据读写要求较高的系统需求。该芯片采用低功耗CMOS技术，在保持高速运行的同时显著降低功耗，在待机模式下电流消耗极低，适用于对功耗敏感的应用场景。
　　该SRAM芯片支持3.3V电源供电，并具备5V I/O兼容能力，便于与多种主控芯片或外围设备进行电平匹配和通信。工作温度范围为-40°C至+85°C，确保其在工业级环境中稳定运行，适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等严苛环境下的应用。
　　此外，LH28F016SAHT-90采用54引脚TSOP封装，体积小巧且引脚排列紧凑，有利于节省PCB空间并实现高密度电路设计。该封装形式也具备良好的热稳定性和机械强度，适用于各种便携式和高性能电子设备。

LH28F016SAHT-90广泛应用于需要高速数据缓冲和临时存储的各类电子系统中。例如，在工业控制设备中，它可作为主控制器的高速缓存，用于存储运行时数据或程序变量；在通信设备中，可作为数据缓冲器以提升数据传输效率；在嵌入式系统中，也可用于图像处理、数据采集等任务的临时数据存储。此外，该芯片还可用于医疗设备、测试仪器、车载电子系统等领域，满足对数据访问速度和稳定性有较高要求的应用场景。

CY7C1019B-10ZSXC、IS61LV1024-10B4I、IDT71V124SA90B