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BSC0802LSATMA1 发布时间 时间:2025/6/4 18:57:48 查看 阅读:10

BSC0802LSATMA1是一款表面贴装型的陶瓷电容器,属于片式多层陶瓷电容器(MLCC)系列。该型号由知名电子元器件制造商生产,具有小体积、高可靠性和优异的电气性能特点,适用于各种消费类电子产品、通信设备及工业控制领域。其设计符合RoHS标准,确保环保和安全性。

参数

容量:0.1μF
  额定电压:50V
  容差:±10%
  尺寸:0805英寸(2.0mm x 1.25mm)
  介质材料:X7R
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃

特性

BSC0802LSATMA1采用X7R介质材料,具备稳定的电容量特性和较低的温度系数,在广泛的温度范围内能够保持良好的性能稳定性。
  该电容器支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和焊接,提升了装配效率并降低了故障率。
  由于其小型化设计,非常适合空间受限的应用场景,同时其高可靠性也使其在高频电路中表现出色。
  X7R介质的特点使其能够在不同的环境条件下提供一致的电气性能,从而确保电路的稳定运行。

应用

BSC0802LSATMA1广泛应用于滤波、耦合、旁路、退耦等电路功能中。常见的应用场景包括电源模块中的滤波电路、音频信号处理中的耦合电路以及射频电路中的匹配网络。
  它特别适合用于消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能家居设备,同时也被应用于工业控制设备和通信基础设施中的电路板上。

替代型号

BSC0802LSBTMA1
  BSC0802LUBTMA1
  BSC0802LUCTMA1

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BSC0802LSATMA1参数

  • 现有数量4,834现货
  • 价格1 : ¥26.16000剪切带(CT)5,000 : ¥12.61966卷带(TR)
  • 系列OptiMOS? 5
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Ta),100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.4 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 115μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)46 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6500 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)156W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TDSON-8-7
  • 封装/外壳8-PowerTDFN