时间：2025/12/28 21:05:05
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LH28F016B3TA是一款由Renesas（原Intersil）制造的高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款SRAM属于异步SRAM系列，具有16Mbit的存储容量，组织方式为1M x 16位。该芯片广泛应用于需要高速数据存取和低功耗的嵌入式系统、工业控制、网络设备以及通信设备中。
容量：16Mbit
组织结构：1M x 16位
电源电压：3.3V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
封装尺寸：54引脚TSOP
读取电流（最大）：300mA
待机电流（最大）：10mA
LH28F016B3TA具备高速访问能力，其访问时间低至5.4ns，能够满足高性能嵌入式系统的数据处理需求。该芯片采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，非常适合对功耗敏感的应用场景。此外，其工作电压为3.3V，具有良好的电源兼容性和稳定性。该SRAM芯片还具备宽温度范围特性，可在-40°C至+85°C之间稳定工作，适用于各种工业和车载环境。
LH28F016B3TA采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装体积，便于在空间受限的电路板上布局。该芯片的异步接口设计简化了系统设计，提高了系统的稳定性和可靠性。此外，其高抗干扰能力确保在复杂电磁环境中仍能正常工作。
LH28F016B3TA SRAM芯片广泛应用于多种高性能嵌入式系统和工业控制设备中，如网络交换机、路由器、工业自动化控制器、测试设备、通信基站以及车载电子系统。由于其高速、低功耗和宽温度范围特性，它也非常适合用于需要可靠数据存储和快速访问的实时系统。
LH28F016B3TA-55, LH28F016B3T-55, IS61LV102416ALB55B
