容量：4Mbit
　　组织方式：512K x 8
　　电源电压：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：70ns / 90ns 可选
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
　　编程/擦除电压：内部电荷泵提供高压
　　擦除块大小：多个可变块
　　数据保持时间：10年
　　编程时间：典型100μs/字

LH28F004SUT-Z1 是一款高性能的Flash存储器，具有以下显著特性：首先，它采用单电源供电设计，电压范围为2.7V至3.6V，适用于低功耗应用环境，无需额外的高压电源来进行编程或擦除操作，简化了系统电源设计。
　　其次，该Flash芯片支持70ns或90ns的快速访问时间，能够满足高速数据读取需求，适用于对性能有一定要求的嵌入式系统。此外，该器件内部集成电荷泵电路，用于产生编程和擦除操作所需的高压，减少了外部电路的复杂性。
　　LH28F004SUT-Z1 提供了灵活的擦除功能，支持多块擦除（Multiple Block Erase），允许用户选择性地擦除特定的存储块，从而提高数据管理的灵活性和效率。这种特性在需要频繁更新部分数据的应用中尤为重要，如固件更新、日志记录等。
　　该芯片采用TSOP封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于各种严苛环境下的稳定运行。
　　数据保持能力方面，LH28F004SUT-Z1 可确保数据在断电情况下保持长达10年，具有较高的可靠性和稳定性。此外，编程时间短，典型值为100μs/字，提高了写入效率，适合需要频繁写入数据的应用场景。

LH28F004SUT-Z1 主要应用于嵌入式系统中的程序存储或数据存储，例如工业控制设备、测量仪器、通信模块、智能卡读写器、安防系统以及消费类电子产品等。其低功耗、高可靠性和灵活的擦除功能使其非常适合用于需要长期运行并具备固件升级能力的设备。

LH28F004SCT-Z1 LH28F004SCT-Z2 LH28F004SUT-Z2 LH28F004SCC-Z1 LH28F004SCE-Z1