LH21256Z-10 时间：2025/8/27 20:29:21 阅读：23

LH21256Z-10是一款由Intersil公司生产的高速静态随机存取存储器（SRAM），其容量为256K位（32K x 8）。该芯片属于高速CMOS工艺制造，适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场合。LH21256Z-10的访问时间为10纳秒，这意味着它可以在非常高的时钟频率下运行，适合用于高性能嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及通信设备中。该芯片通常采用标准的28引脚DIP或SOIC封装形式，便于在多种电路设计中使用。

参数

容量：256K位（32K x 8）
　　电源电压：5V
　　访问时间：10ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：28引脚DIP / SOIC
　　输入/输出电压电平：TTL兼容
　　数据保持电压：最小2V（在掉电模式下）
　　待机电流：最大10mA
　　读取电流：最大200mA
　　写入电流：最大250mA

特性

LH21256Z-10具有多项优良特性，使其在多种应用场景中表现出色。
　　首先，其高速访问时间为10ns，这使得它能够在高速系统中提供快速的数据读写能力，满足实时处理需求。此外，该芯片支持TTL电平输入和输出，简化了与各种数字逻辑电路的接口设计。
　　其次，LH21256Z-10具备低功耗特性，在待机模式下仅消耗最大10mA的电流，有助于降低整体系统功耗，延长设备在电池供电应用中的使用寿命。而在正常读写操作时，其功耗也控制在合理范围内，分别为最大200mA和250mA。
　　再者，该SRAM芯片具有宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业级和恶劣环境下的应用，如工业自动化设备、通信基站、车载系统等。其高可靠性确保在严苛条件下仍能稳定运行。
　　此外，LH21256Z-10支持掉电数据保持功能，在电源电压下降至2V时仍能保持存储的数据不丢失，这对于需要在断电情况下保留关键数据的应用非常重要。这一特性通常通过外部电源管理电路或电池备份来实现。
　　最后，该芯片采用标准的28引脚DIP或SOIC封装，便于手工焊接和自动化生产，适用于多种电路板布局设计，具有良好的兼容性和易用性。

应用

LH21256Z-10广泛应用于需要高速数据存储和高可靠性的电子系统中。
　　其中一个重要应用领域是嵌入式系统，如工业控制设备、自动化仪表和测试测量设备。这些设备通常需要快速访问和处理数据，而LH21256Z-10的高速访问时间和低功耗特性使其成为理想选择。
　　在网络通信设备中，LH21256Z-10可用于缓存数据包、存储临时数据或作为高速缓冲存储器使用。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于户外或恶劣环境中的通信设备，如基站、路由器和交换机。
　　在汽车电子系统中，该芯片可用于存储关键数据或作为微控制器的扩展内存，例如在发动机控制单元（ECU）、车载诊断系统（OBD）和车载信息娱乐系统中。
　　此外，LH21256Z-10还可用于测试设备、数据采集系统和便携式仪器，其掉电数据保持功能在断电情况下能够有效保护重要数据，避免数据丢失。
　　对于需要高性能、高稳定性和低功耗的工业和商业应用来说，LH21256Z-10是一款可靠且高效的SRAM解决方案。