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IXBH12N300 发布时间 时间:2025/7/25 3:58:29 查看 阅读:9

IXBH12N300是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管,广泛应用于高电压和高电流的电力电子系统中。该器件采用了先进的高压MOSFET技术,具有较高的开关速度和较低的导通电阻。IXBH12N300适用于诸如电源转换器、逆变器、马达控制以及可再生能源系统(如太阳能逆变器)等应用场景。该器件的封装设计支持高效散热,确保在高功率条件下的稳定运行。

参数

类型:MOSFET
  技术:高压MOSFET
  最大漏极电流:12A
  最大漏源电压:300V
  导通电阻:1.2Ω
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至150°C
  最大功耗:200W

特性

IXBH12N300具备多项优良特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其高电压耐受能力(最大300V)使其适用于多种中高功率的电力电子设备。其次,该MOSFET的导通电阻较低,为1.2Ω,从而降低了导通损耗,提高了整体效率。此外,该器件的开关速度快,有助于减小开关损耗,提高系统的工作频率,从而减小外围元件的体积,提高系统的功率密度。
  IXBH12N300采用了TO-247封装,具有良好的散热性能,确保在高电流工作条件下仍能保持稳定的温度。封装设计还使其易于安装在散热器上,进一步提高热管理效率。
  该器件的工作温度范围较宽,从-55°C至150°C,适应了各种严苛环境下的应用需求。此外,IXBH12N300具备较高的短路耐受能力,能够在短暂过载条件下维持正常工作,增强了系统的可靠性。

应用

IXBH12N300广泛应用于多种高功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、逆变器和马达控制电路。其高电压和高电流能力使其成为太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等可再生能源系统中的理想选择。此外,该MOSFET也可用于工业自动化设备、电焊机、电镀设备以及电动汽车的电力控制系统中。
  在电源转换系统中,IXBH12N300用于高边和低边开关,实现高效的能量转换。在太阳能逆变器中,它用于将直流电转换为交流电,供给电网或负载使用。由于其高效率和高可靠性,IXBH12N300也常用于高频功率变换器,以减小磁性元件的尺寸并提高整体系统效率。

替代型号

IXFH12N300,IXTH12N300,IRF300,IXBH15N300

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IXBH12N300参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列BIMOSFET™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)3000V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.2V @ 15V,12A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最大160W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件