LH1520AB是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效率功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提升系统性能。
LH1520AB属于N沟道增强型场效应晶体管,其设计着重优化了漏源极电压耐受能力和连续电流承载能力,从而适应严苛的工作环境。
最大漏源极电压:60V
最大栅源极电压:±20V
连续漏极电流:80A
导通电阻:3mΩ
栅极电荷:120nC
开关时间:开启时间 40ns,关闭时间 20ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
LH1520AB具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗。
2. 快速的开关速度,适合高频应用场合。
3. 高电流处理能力,支持大功率负载。
4. 强化的热稳定性,能够在高温环境下长期可靠运行。
5. 内置ESD保护电路,提升了整体的抗静电能力。
6. 小尺寸封装,便于紧凑型设计布局。
LH1520AB适用于多种领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关。
2. 电动工具及家用电器中的电机控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 新能源领域如太阳能逆变器和电动汽车牵引逆变器。
5. 各类高效能DC-DC转换模块。
LH1520AD, IRFZ44N, FDP55N06L