时间：2025/8/6 16:59:29
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LH1301-2R 是一款由Liaonan（辽南）电子推出的高性能、低功耗的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中。该器件采用先进的沟槽式技术，提供了优异的导通特性和开关性能，适合高效率和高密度电源设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：8.5mΩ（最大值）
功率耗散(Pd)：3.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
LH1301-2R MOSFET具备多个显著的电气和热性能优势。其低导通电阻确保在高电流应用中减少功率损耗，从而提高整体效率。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，降低开关损耗。LH1301-2R 还具有良好的热稳定性，采用TO-252封装可有效散热，适合在高温环境下运行。该MOSFET符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子设备设计。
该器件的栅极驱动电压范围宽泛，支持常见的3.3V至12V逻辑电平控制，便于与多种控制器或驱动器配合使用。同时，LH1301-2R 的短路和过热保护能力使其在恶劣工况下仍能保持稳定工作，延长系统寿命。
LH1301-2R 常用于多种电源管理场景，如同步整流型DC-DC转换器、电池充电电路、负载开关控制、马达驱动电路、LED驱动器以及便携式电子产品中的功率开关。此外，它也适用于工业自动化设备、通信电源模块及电源适配器等对效率和稳定性有较高要求的应用领域。
Si2301DS、AO3400、IRLML6401、FDMS86101、FDS6680
