时间：2025/10/8 1:30:00
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LGU2Z821MELC 是一款由 Littelfuse 公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及雷击感应等瞬态过电压事件的损害。该器件采用多通道设计，能够同时为多条信号线提供高效、可靠的保护，特别适用于高速数据接口和通信端口。LGU2Z821MELC 属于低电容 TVS 器件，具备极低的结电容特性，确保在保护电路的同时不会对信号完整性造成明显影响，因此广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信模块以及便携式设备中。
该器件封装形式为 DFN（Dual Flat No-lead），具有体积小、重量轻、热性能优良等特点，适合高密度贴装的 PCB 设计。其内部结构包含多个双向 TVS 二极管，可实现对正负方向瞬态电压的钳位保护。LGU2Z821MELC 的设计符合 RoHS 和 REACH 环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。
型号：LGU2Z821MELC
制造商：Littelfuse
器件类型：TVS 二极管阵列
通道数：4 通道
工作电压（VRWM）：2.8V
击穿电压（VBR）：最小 3.11V，典型 3.46V
钳位电压（VC）：最大 9.2V（在 IPP = 1A 条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：1A（单次脉冲）
结电容（Cj）：每通道典型值 0.45pF
响应时间：小于 1ps
封装类型：DFN-6（1.6mm x 1.6mm）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
极性：双向
LGU2Z821MELC 具备出色的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应并泄放高达 1A 的峰值脉冲电流，有效防止 ESD 和其他瞬态干扰对后级电路造成损伤。其最显著的特性之一是超低的结电容，每通道典型值仅为 0.45pF，这一特性使其非常适合用于高速信号线路的保护，如 USB 2.0、HDMI、DisplayPort、SD 卡接口以及 RF 天线线路等，能够在不影响信号带宽和上升/下降时间的前提下提供可靠的过压保护。
该器件采用双向二极管结构，能够对正负极性的瞬态电压进行对称钳位，确保在双向浪涌或 ESD 放电情况下均能有效工作。这种设计特别适用于差分信号对或可能承受反向电压的信号线。此外，其极快的响应时间（小于 1 皮秒）意味着在静电放电事件发生的瞬间即可启动保护机制，远快于传统保护器件，从而最大限度地减少电压尖峰对敏感 IC 的冲击。
LGU2Z821MELC 的 DFN 封装不仅节省空间，还具有良好的热传导性能，有助于在多次瞬态事件中稳定工作。其小型化封装便于在紧凑型设备中布局，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对尺寸要求严格的场合。同时，该器件经过 IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV 接触放电，±15kV 空气放电）等国际标准认证，确保在严苛的电磁环境中仍能提供可靠防护。
另一个重要特性是其低漏电流表现，在正常工作电压下漏电流通常小于 1μA，几乎不会增加系统功耗或引入噪声，这对于电池供电设备尤为重要。此外，器件具备高重复性与长期稳定性，能够在多次 ESD 事件后仍保持性能不变，延长了终端产品的使用寿命。
LGU2Z821MELC 主要应用于需要高等级 ESD 保护的高速数字接口和模拟信号线路。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的 USB OTG、Micro-USB、Type-C 接口保护；音频耳机插孔、麦克风输入、扬声器输出线路的静电防护；以及 SD / microSD 卡槽的数据线保护。由于其低电容和高速特性，也常用于 HDMI、MHL、DisplayPort 等视频传输接口中，防止人体接触或电缆插拔过程中产生的静电损坏主控芯片或显示驱动器。
在工业通信领域，该器件可用于 RS-485、CAN 总线、I2C、SPI 等通信总线的端口保护，提升系统抗干扰能力和可靠性。此外，在无线通信模块中，如 Wi-Fi、Bluetooth、GPS 或蜂窝通信天线前端，LGU2Z821MELC 可作为初级 ESD 防护元件，保护射频前端器件（如 LNA、PA、开关）免受外部静电损害。
消费类电子产品中的触摸屏控制器、传感器接口（如加速度计、陀螺仪、环境光传感器）同样容易受到 ESD 影响，使用 LGU2Z821MELC 可以有效提高系统的鲁棒性。在医疗设备、测试仪器、便携式诊断设备中，对于信号精度要求高的场合，该器件也能在不引入额外噪声或失真的前提下提供必要的过压保护。总之，任何涉及高速、低电压、高灵敏度信号传输的场景，都是 LGU2Z821MELC 的理想应用领域。
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"SP3012-04UTG",
"RCLAMP0524P",
"EMIF05-2UC3",
"ESD9L5.0ST5G"
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