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LGS-8G52-A1 发布时间 时间:2025/12/27 10:20:13 查看 阅读:16

LGS-8G52-A1是一款由LG Innotek生产的表面声波(SAW)滤波器,广泛应用于无线通信设备中,特别是在射频前端模块中用于信号的选择性和抑制干扰。该器件基于先进的SAW技术,能够在高频段提供优异的频率选择性和低插入损耗,适用于对性能要求较高的现代通信系统。LGS-8G52-A1主要工作在800MHz频段附近,是专为满足特定移动通信标准而设计的高性能滤波器。其封装采用小型化陶瓷封装技术,具有良好的热稳定性和机械强度,适合自动化贴片生产流程。该滤波器常用于智能手机、物联网设备、无线基站以及工业级通信模块等场景中,能够有效提升系统的抗干扰能力和接收灵敏度。作为一款成熟的商用元器件,LGS-8G52-A1已经通过了多项国际认证,符合RoHS环保标准,并具备出色的长期可靠性。

参数

型号:LGS-8G52-A1
  器件类型:表面声波(SAW)滤波器
  中心频率:约824.5 MHz
  通带频率范围:820 MHz ~ 830 MHz
  插入损耗:典型值4.0 dB,最大5.5 dB
  带外抑制:≥30 dB @偏离通带±30 MHz以外
  输入阻抗:50 Ω
  输出阻抗:50 Ω
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  存储温度范围:-55°C ~ +125°C
  封装形式:四引脚陶瓷SMD封装
  尺寸:约2.0 mm × 1.6 mm × 0.7 mm
  耐压能力:最大连续功率1 W
  VSWR:≤2.0:1 在通带内
  相位线性度:良好,适用于数字调制信号传输

特性

LGS-8G52-A1的核心优势在于其基于表面声波(SAW)技术实现的高选择性和稳定的频率响应特性。该滤波器采用压电材料与精细光刻工艺制造叉指换能器(IDT),能够在目标频段内精确控制声波传播路径和能量转换效率,从而实现陡峭的滤波边沿和高效的带外抑制能力。这种结构设计使其在多频段共存的复杂电磁环境中表现出色,能够有效隔离相邻信道干扰,提升接收机的信噪比。同时,其低插入损耗特性减少了射频链路中的信号衰减,有助于降低后续放大电路的设计压力,提高整体能效。
  该器件具备优良的温度稳定性,得益于陶瓷封装和内部材料的热匹配优化,在-40°C至+85°C的工作温度范围内仍能保持性能一致性,避免因环境变化导致通信质量下降。此外,其小型化的SMD封装不仅节省PCB空间,还支持高速自动贴片工艺,提升了产品量产的一致性和良率。LGS-8G52-A1还具有较高的功率耐受能力,可承受短时高峰值功率而不发生性能退化或永久损坏,适用于突发通信或高动态信号处理场景。
  另一个显著特点是其良好的阻抗匹配特性,输入输出端口均设计为50欧姆标准阻抗,便于与常见射频电路如LNA、PA和混频器直接连接,无需额外复杂的匹配网络,简化了射频前端设计流程。器件还具备较低的群延迟波动,保证了调制信号的完整性,特别适用于QPSK、QAM等对相位敏感的数字通信方式。综合来看,LGS-8G52-A1凭借其高可靠性、小体积和优异电气性能,成为800MHz频段通信系统中理想的前端滤波解决方案。

应用

LGS-8G52-A1主要用于各类需要在800MHz频段进行高效射频信号处理的无线通信设备中。其典型应用场景包括CDMA2000、LTE Band Class 5(850MHz上行/下行)等蜂窝网络终端设备,如智能手机、移动热点和M2M通信模块。由于该频段在中国、北美及其他多个地区被广泛用于公众移动通信服务,因此该滤波器在运营商认证设备中具有重要地位。
  在物联网领域,LGS-8G52-A1可用于远程抄表系统、智能安防设备和车载通信单元(Telematics)中,确保在复杂电磁环境下仍能维持稳定的数据连接。此外,它也适用于专用无线通信系统,如公安、消防、交通调度使用的集群对讲设备,这些系统对滤波器的选择性、抗干扰能力和环境适应性有极高要求。
  在基站侧,虽然主流宏基站通常使用更高功率的腔体滤波器,但在小型化微基站、皮基站或室内分布系统中,LGS-8G52-A1因其紧凑尺寸和可靠性能也可作为接收通道的预选滤波器使用。同时,该器件还可集成于RFID读写器、无线传感器网络节点及工业遥控装置中,发挥其高选择性和低功耗的优势。总之,凡是在800MHz频段需实现高质量信号筛选的应用场合,LGS-8G52-A1都能提供稳定可靠的前端滤波支持。

替代型号

EPCOS (TDK) B39552-B2003-U2
  Qorvo QPQ1618
  Murata SAWFIL G1A2C8245MA00

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