时间：2025/6/5 10:57:20
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V4R3B0201C0G500NAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。它能够在高频条件下保持稳定的性能，同时提供卓越的电流处理能力。
型号：V4R3B0201C0G500NAT
类型：N-Channel MOSFET
封装形式：TO-263
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：75A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
总功耗(Ptot)：230W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
V4R3B0201C0G500NAT 具有以下主要特性：
1. 低导通电阻 (Rds(on)) 可以有效降低功率损耗。
2. 高电流承载能力使得该芯片适用于大功率应用场合。
3. 快速开关速度减少了开关损耗并提升了整体效率。
4. 优秀的热性能确保了在极端条件下的可靠性。
5. 紧凑型封装设计节省了 PCB 占用空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
这些特性使 V4R3B0201C0G500NAT 成为需要高效能和稳定性的工业及消费电子产品的理想选择。
V4R3B0201C0G500NAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换部分。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 各种 DC-DC 转换器模块。
4. 电动工具和家电产品中的功率管理。
5. 新能源汽车中的电池管理系统和逆变器。
其高效率和大电流处理能力使其特别适合需要高功率密度的应用场景。
V4R3B0201C0G500NAH,V4R3B0201C0G500NAR
