时间：2025/10/8 10:46:08
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LGN2Z222MELB50是一款由KEMET（现为Yageo集团的一部分）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），专为高电压、高可靠性应用设计。该电容器采用X7R介电材料，具有良好的温度稳定性和较高的体积效率，适用于需要在宽温度范围内保持电容值稳定的工业、汽车和通信设备。其标称电容值为2200pF（即2.2nF），额定电压为500V DC，属于高压MLCC类别，适合用于开关电源、DC-DC转换器、滤波电路以及高压信号耦合等场景。该器件封装尺寸为1812（4532公制），便于在空间受限的PCB布局中使用，同时具备较强的机械强度和抗热冲击能力。LGN2Z222MELB50符合RoHS指令要求，并且通常具有低等效串联电阻（ESR）和优良的高频性能，能够在恶劣环境条件下长期稳定工作。此外，该型号采用镍障电极结构，增强了抗硫化能力，提升了在高湿度或污染环境下的可靠性，特别适合部署在户外电子设备或工业控制系统中。
该电容器的电容容差为±20%，这是X7R材质常见的精度等级，在实际应用中需考虑其在不同电压、温度和老化条件下的电容变化特性。尽管X7R不是最稳定的介电类型（如C0G/NP0），但其在成本、体积与性能之间提供了良好平衡。LGN2Z222MELB50的设计注重长期稳定性与耐久性，适用于需要承受反复热循环或机械振动的应用场合。由于其高压额定值和相对较小的封装尺寸，该器件在现代高密度电源模块中具有重要价值。
电容值：2200pF (2.2nF)
容差：±20%
额定电压：500V DC
介电材料：X7R
温度特性：-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%
封装尺寸：1812 (4.5mm x 3.2mm)
电极结构：镍障（Ni-barrier）
产品系列：LGN2Z
制造商：KEMET (Yageo)
LGN2Z222MELB50作为一款高性能高压多层陶瓷电容器，具备多项关键特性以满足严苛应用场景的需求。首先，其采用X7R介电材料，保证了在-55°C至+125°C的宽工作温度范围内，电容值的变化控制在±15%以内，这使其非常适合用于温度波动较大的环境中，例如车载电子系统或工业自动化设备。虽然X7R材料存在一定的直流偏压效应——即施加电压时电容值会下降——但通过优化内部叠层结构和介质厚度，LGN2Z系列已显著改善了这一问题，确保在接近额定电压下仍能维持可用的电容性能。
其次，该器件具有500V的高直流耐压能力，远高于标准低压MLCC（如50V或100V），可用于高压旁路、跨接隔离、EMI滤波以及谐振电路中。其1812封装在提供足够爬电距离的同时，兼顾了表面贴装工艺的兼容性，支持回流焊装配流程，并能在多次热循环后保持结构完整性。更重要的是，该电容器采用了镍障（Nickel Barrier）金属化技术，外电极为铜内电极为镍钯，这种结构有效防止银离子迁移和硫化腐蚀，极大提升了在高湿、含硫大气环境中的长期可靠性，广泛应用于铁路、能源监控和户外通信基站等对寿命要求极高的领域。
此外，LGN2Z222MELB50具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有利于提升高频响应能力和能量传输效率，减少发热损耗，特别适用于高频开关电源中的去耦和滤波环节。其多层结构设计还增强了抗机械应力能力，降低了因PCB弯曲或热胀冷缩导致开裂的风险。整体而言，这款电容器融合了高压能力、环境适应性和长期稳定性，是高端工业和汽车电子系统的理想选择。
LGN2Z222MELB50主要应用于需要高电压稳定性和环境可靠性的电子系统中。典型用途包括工业电源模块中的高压滤波与去耦，尤其是在DC-DC转换器、AC-DC整流后级滤波电路中发挥重要作用。由于其500V额定电压和2200pF的电容值适中，常被用于跨接在初级与次级之间的Y电容位置，或作为谐振腔内的谐振电容，配合变压器实现LLC或Flyback拓扑的能量传递。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器和电池管理系统（BMS）中的信号耦合与噪声抑制电路，凭借其优异的抗热冲击和抗振动性能，能够适应发动机舱或底盘附近的恶劣工况。
在通信基础设施方面，LGN2Z222MELB50可应用于基站射频模块的电源滤波、光模块内部高压偏置电路的退耦，以及光纤收发器中的高压耦合路径。此外，在医疗设备、测试测量仪器和智能电表等对安全性和长期运行稳定性有严格要求的产品中，该电容器也常被选用，特别是在涉及IEC绝缘等级认证的设计中，其高绝缘电阻和耐电压能力有助于满足安规要求。由于具备抗硫化特性，该型号特别适用于部署在工业污染较重或沿海高盐雾地区的户外电子设备，如智能路灯控制器、远程监控终端和风力发电控制系统等。
C331C222MJ5G5TA
CC1812JRX7RBB222
ERUC25X7R5E222M
