时间：2025/8/2 8:04:50
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DMC4040SSD-13是一款由Diodes Incorporated生产的双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的Trench MOSFET技术，具有高性能和高可靠性。该器件封装为SOT26（SOT-26），属于小型表面贴装封装，适用于空间受限的应用。DMC4040SSD-13内部集成了两个独立的MOSFET，每个MOSFET的漏源电压（VDS）为+40V，连续漏极电流（ID）可达4.0A。该器件广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电机控制等电路设计中。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：4.0A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：24mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：11nC
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：SOT26（SOT-26）
DMC4040SSD-13具备多项优良特性，首先其采用先进的Trench MOSFET工艺，实现了较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。该器件的双通道设计使得在需要两个独立MOSFET的电路中可以节省PCB空间并简化布局。
其次，该MOSFET的高电流承载能力（每个通道4.0A）使其适用于中等功率应用，例如电源开关、DC-DC转换器以及负载控制。同时，其低栅极电荷（Qg=11nC）有助于提高开关速度，从而降低开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，DMC4040SSD-13采用SOT26封装，属于小型表面贴装封装，便于自动化生产和高密度PCB布局。该封装也具备良好的热性能，可以在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C至+150°C）。
综合来看，DMC4040SSD-13在性能、尺寸和可靠性方面都具备优势，是一款适用于多种电源管理和功率控制应用的高性能双MOSFET器件。
DMC4040SSD-13主要应用于需要双MOSFET集成的场合，例如便携式电子设备的电源管理电路、负载开关控制、DC-DC转换器、同步整流器、马达驱动电路以及电池管理系统（BMS）。由于其具备低导通电阻、高电流能力和小尺寸封装，该器件也常用于移动设备、智能穿戴产品、无人机电源管理模块以及工业自动化控制系统中的功率开关应用。
Si3442CDV-T1-GE3, DMP2035UDW-13, FDMS3610
