64F3664FP 时间：2025/9/7 12:22:36 阅读：18

64F3664FP 是一款由东芝（Toshiba）推出的MOS场效应晶体管（MOSFET），主要用于功率放大、开关电源以及功率控制电路中。该器件采用高功率的TO-220FP封装形式，具备良好的散热性能和高耐压能力，适用于多种工业控制、电机驱动以及电源转换场合。64F3664FP 是N沟道增强型MOSFET，在导通状态下可承受较大的漏极电流，同时具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.018Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220FP

特性

64F3664FP 具有低导通电阻（RDS(on)）特性，这使得该MOSFET在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。其高电流承载能力（60A ID）使其适用于高功率负载的应用，例如直流电机驱动、电源转换器和电池管理系统等。
　　该器件还具备较强的热稳定性，采用TO-220FP封装，具有良好的散热能力，适用于高功率密度的设计。此外，64F3664FP 的栅极驱动电压范围较宽（通常为+10V至+20V），便于与各种驱动电路兼容，提高了其在不同应用场景下的适应性。
　　在可靠性方面，64F3664FP 提供了过热保护和过流保护能力，适用于高负载和连续工作的工业环境。其较高的击穿电压（60V VDS）也使其适用于高电压波动的电源系统中。

应用

64F3664FP 主要用于需要高电流、高效率和高可靠性的功率控制应用。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池充电管理系统、工业自动化控制设备以及电动汽车的功率电子模块。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，64F3664FP 也常用于H桥电路中，以实现直流电机的正反转控制。此外，在不间断电源（UPS）系统和太阳能逆变器中，该MOSFET也常被用作主开关元件，以提高系统的转换效率和稳定性。