LGN2V681MELB50是一款由松下(Panasonic)公司生产的表面贴装型铝电解电容器,属于其高耐久性、低漏电流的导电性高分子固态电解电容器产品线。该型号专为满足现代电子设备对高可靠性、长寿命和小体积的需求而设计,广泛应用于电源管理模块、DC-DC转换器、主板去耦电路以及便携式电子产品中。LGN2V681MELB50采用先进的导电聚合物电解质技术,相较于传统液态铝电解电容,具有更低的等效串联电阻(ESR)、更高的纹波电流承受能力以及更优异的温度稳定性。该器件具备极低的漏电流特性,有助于提升系统能效并减少发热,特别适用于对功耗敏感的应用场景。其额定电容值为680μF(标称值681表示68×101 = 680μF),额定电压为2.5V DC,适用于低压大容量滤波场合。外壳尺寸符合标准SMD封装规范,便于自动化贴片生产,提高了制造效率和产品一致性。此外,该电容器符合RoHS环保要求,并具备无铅焊接兼容性,支持回流焊工艺,在消费类电子、通信设备及工业控制领域有广泛应用前景。
电容值:680μF
额定电压:2.5V DC
容差:±20%
ESR(等效串联电阻):≤30mΩ
纹波电流(100kHz):1700mA RMS
工作温度范围:-55℃ ~ +105℃
寿命:105℃下10000小时
封装类型:SMD
尺寸(直径×高度):约7.3mm × 5.0mm
极性:有极性(需注意正负极连接)
安装方式:表面贴装(SMT)
LGN2V681MELB50采用导电性高分子(Conductive Polymer)作为电解质材料,这一技术显著提升了电容器的整体性能表现。与传统的液态电解质铝电解电容相比,导电高分子材料具有更高的电导率,从而大幅降低了电容器的等效串联电阻(ESR),通常可低至30mΩ以下,这使得器件在高频开关电源环境中能够有效抑制电压波动,提高系统的稳定性和响应速度。低ESR还意味着更少的能量损耗转化为热量,有助于提升电源转换效率并降低温升,延长整个电子系统的使用寿命。
该型号具备出色的纹波电流处理能力,在100kHz频率下可承受高达1700mA的RMS纹波电流,适合用于高频率工作的DC-DC转换器输出端进行滤波和储能。同时,由于其固态结构,不会出现液态电解液干涸的问题,因此在高温环境下仍能保持长期稳定的电气性能。在+105℃的工作温度条件下,该电容的设计寿命可达10000小时,远超普通液态电解电容的2000~5000小时水平,极大增强了设备的可靠性和耐用性。
LGN2V681MELB50还表现出极低的漏电流特性,这对于电池供电设备或待机功耗要求严格的系统尤为重要。低漏电流减少了不必要的静态功耗,有助于延长移动设备的续航时间。此外,该电容器对反向电压和过压极为敏感,必须严格按照极性安装,并建议在电路设计中加入保护措施以防止瞬态电压冲击造成损坏。其表面贴装封装形式不仅节省空间,而且兼容现代高速SMT生产线,提升了量产效率和焊接可靠性。整体而言,这款电容器集高性能、长寿命、小型化和环保于一体,是高端电源设计中的理想选择。
LGN2V681MELB50主要用于需要低ESR、高纹波电流能力和长寿命的电源电路中。典型应用场景包括主板上的CPU供电模块,作为核心电压(Vcore)的去耦和滤波元件,确保处理器在高负载切换时获得稳定的电流供应。在DC-DC降压或升压转换器的输出端,该电容器可有效平滑输出电压,抑制开关噪声,提升电源品质。此外,它也常用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的电源管理系统中,特别是在电池充电管理IC和PMU(电源管理单元)周围,发挥储能和稳压作用。
在通信设备如路由器、交换机和基站模块中,LGN2V681MELB50可用于为FPGA、ASIC和DSP等大规模集成电路提供局部电源去耦,减少高频干扰对信号完整性的影响。工业控制系统中的PLC、伺服驱动器和传感器模块同样受益于其高可靠性和耐温性能,尤其是在宽温环境下的持续运行需求。另外,该器件也可应用于LED照明驱动电源、医疗电子设备以及汽车电子中的辅助控制系统(非引擎舱内),满足对安全性和稳定性要求较高的场合。由于其无铅环保特性,符合国际绿色制造标准,适用于出口型电子产品和高环保要求项目。
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"SP-Cap POSCAP LGN2V681MELB50",
"Panasonic APX-F系列 APXF2V681MELB",
"Nichicon PL系列 PLZ2A681MPH",
"Kemet AO-CAP AOCVD2V681ME",
"Samsung Electro-Mechanics SEPC series SEPC2V681MP"
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