电容：1200μF
　　容差：±20%
　　额定电压：35V
　　工作温度范围：-55°C ~ +105°C
　　温度特性：X7R
　　封装类型：2220（5750公制）
　　长度：5.7mm
　　宽度：5.0mm
　　高度：3.5mm
　　端接类型：镍障层（Ni-barrier）
　　直流偏压特性：典型DC偏压下电容保持率约60%@35V
　　老化系数：≤2.5%每 decade（对于X7R材质）
　　等效串联电阻（ESR）：<10mΩ @ 100kHz
　　绝缘电阻：≥1000MΩ或RC≥500Ω·F（取较大者）
　　耐焊接热性：符合IEC 60068-2标准
　　抗弯曲强度：满足JIS C 5101-0-3要求

LGN2P122MELC35具备出色的电容稳定性和温度适应能力，其X7R型陶瓷介质确保在-55°C至+105°C的宽温范围内，电容变化不超过±15%，适用于需要在极端温度条件下维持性能稳定的应用场合。该电容器采用多层结构设计，通过数百层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，有效提升单位体积内的电容密度，在有限的空间内提供高达1200μF的电容量，显著优于传统单层陶瓷电容。
　　其镍障层端电极技术不仅提高了对银迁移的抵抗能力，还增强了在含硫环境中的抗腐蚀性能，特别适合部署于工业现场或户外通信基站等污染等级较高的区域。此外，该器件具有极低的等效串联电阻（ESR），有助于减少高频开关过程中的能量损耗和温升，提高电源转换效率，尤其适用于DC-DC转换器输出滤波、FPGA或ASIC供电旁路等瞬态电流较大的应用场景。
　　机械方面，LGN2P122MELC35优化了内部应力分布设计，具备较强的抗板弯和热冲击能力，能有效防止因PCB变形或回流焊过程中热膨胀不均导致的裂纹失效。产品符合RoHS指令及REACH法规要求，支持无铅回流焊接工艺，兼容峰值温度达260°C的三次回流条件。制造商通过严格的批次管控和可靠性测试（包括高温高湿偏压H3TRB、寿命试验和温度循环测试）确保产品长期运行的稳定性与一致性，适用于高可靠性要求的设计项目。

LGN2P122MELC35广泛用于各类高性能电子系统中，尤其是在对电源完整性要求较高的场合。常见应用包括服务器主板、网络交换机和路由器中的POL（Point-of-Load）电源滤波电路，用作大容量去耦电容以平抑动态负载引起的电压波动。在工业自动化领域，该器件被集成于PLC控制器、伺服驱动器和变频器的电源模块中，提供稳定的直流母线支撑，抑制电磁干扰并改善系统响应速度。
　　在汽车电子方面，尽管并非AEC-Q200认证器件，但在非动力域的车身控制模块、车载信息娱乐系统及ADAS传感器单元中仍有使用案例，特别是在需要小体积大容量陶瓷电容替代电解电容的设计中表现出优势。此外，该型号也适用于医疗成像设备、测试测量仪器以及高端音频放大器中，发挥其低噪声、低失真和快速响应的特点。
　　由于其高电压额定值（35V）和相对大容量特性，LGN2P122MELC35还可用于某些模拟信号链路的交流耦合电路，如运算放大器级间耦合或ADC输入前端，有效隔离直流偏置同时传输微弱交流信号。在太阳能逆变器、UPS不间断电源等功率电子设备中，该电容可用于辅助电源的输入滤波环节，提升整体系统的EMI性能和能效指标。

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　　 "GRM57AC71H122ME11L",
　　 "CL25A122MJHNNNE",
　　 "C2012X7R1H122M",
　　 "EMK2220BBJ1H122KB-T"
　　]