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JEB03D3 发布时间 时间:2025/5/21 19:17:42 查看 阅读:19

JEB03D3是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)电子元器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  JEB03D3属于N沟道增强型MOSFET,其设计旨在满足高电流和高频应用需求。通过优化栅极电荷和导通电阻之间的平衡,这款器件在多种工作条件下表现出色,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:3.8A
  导通电阻:45mΩ
  栅极电荷:10nC
  开关时间:典型值10ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

JEB03D3的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场景。
  3. 优秀的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
  4. 小型化封装设计,便于PCB布局和集成。
  5. 内置ESD保护功能,提高器件抗静电能力。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

JEB03D3适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
  3. 电机驱动电路中的开关器件。
  4. 负载开关和电池保护电路。
  5. 各类便携式设备和消费类电子产品中的电源管理模块。
  6. 工业自动化设备中的控制与驱动部分。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP5570
  AO3400

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