您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LGHK10051N2S

LGHK10051N2S 发布时间 时间:2025/12/27 10:42:43 查看 阅读:62

LGHK10051N2S是一款由LG Innotek生产的多层陶瓷芯片电感器(MLCI),属于高频、小尺寸的表面贴装器件(SMD)系列。该器件采用先进的陶瓷基板和内部电极技术,具有优异的高频特性和稳定性,适用于现代便携式电子设备中的射频(RF)电路和电源管理模块。LGHK10051N2S的封装尺寸为1005(公制:1.0mm x 0.5mm),符合JEDEC标准,适合高密度PCB布局。该电感器主要用于抑制电磁干扰(EMI)、滤波、阻抗匹配以及DC-DC转换器中的储能元件。由于其小型化设计和高性能表现,广泛应用于智能手机、可穿戴设备、无线通信模块以及其他对空间和性能要求严苛的电子产品中。
  LGHK10051N2S采用镍(Ni)和锡(Sn)端电极结构,具备良好的可焊性和耐热性,能够承受回流焊工艺的高温环境。其材料体系基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术,确保了在高频工作条件下的低损耗和高Q值特性。此外,该器件还具有较强的抗机械应力能力,能够在振动或冲击环境下保持稳定的电气性能。作为一款高频片式电感,LGHK10051N2S在GHz频段范围内表现出色,尤其适用于2.4GHz Wi-Fi、蓝牙、ZigBee等无线通信系统的信号路径滤波与噪声抑制。

参数

产品类型:多层陶瓷芯片电感器
  尺寸代码:1005(1.0mm x 0.5mm)
  电感值:1.0nH
  允许偏差:±0.2nH
  直流电阻(DCR):典型值0.35Ω
  额定电流(Ir):约300mA(基于温升30°C)
  自谐振频率(SRF):通常大于6GHz
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  端电极材料:Ni/Sn镀层
  封装形式:纸带编带,适用于自动贴片机
  符合RoHS指令:是
  抗磁性:无磁性材料设计
  绝缘电阻:≥100MΩ(DC 100V)
  耐焊接热性能:满足IEC 61249-2-21标准

特性

LGHK10051N2S多层陶瓷芯片电感器具备卓越的高频响应能力和稳定的电气性能,特别针对GHz频段应用进行了优化。其核心优势之一在于采用了低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制造,这种工艺使得内部线圈结构更加致密,有效降低了寄生电容和导体损耗,从而提升了自谐振频率(SRF)并扩展了可用频率范围。由于电感值仅为1.0nH且公差控制在±0.2nH以内,该器件非常适合用于高频匹配网络中,如功率放大器输出端的阻抗变换、天线调谐电路以及射频前端模块中的LC滤波器设计。精确的电感值控制有助于减少系统调试时间,提高量产一致性。
  该器件的直流电阻(DCR)较低,典型值为0.35Ω,这意味着在通过较大电流时产生的I2R损耗较小,有利于提升电源效率并降低温升。尽管其额定电流约为300mA,在同类微型电感中已属较高水平,因此也可用于低功率DC-DC转换器或负载点(POL)电源中作为储能元件。此外,LGHK10051N2S具有出色的温度稳定性,其电感值随温度变化率极小,在-55°C至+125°C的工作温度范围内仍能保持可靠的性能表现,适用于极端环境下的电子设备。
  机械方面,该电感器采用坚固的陶瓷基体结构,具备良好的抗弯曲和抗冲击能力,能够适应PCB弯折或跌落带来的应力影响。其Ni/Sn端电极为标准回流焊兼容设计,支持无铅焊接工艺,并能在多次热循环后仍保持良好连接可靠性。同时,器件整体不含铁磁材料,属于非磁性组件,避免了对外部敏感元件(如霍尔传感器或磁力计)造成干扰,适用于高集成度移动终端设备。整体而言,LGHK10051N2S凭借其超小尺寸、高频特性、低损耗和高可靠性,成为现代高频及射频电路设计中的理想选择。

应用

LGHK10051N2S主要应用于高频和射频电子电路中,特别是在空间受限但性能要求高的便携式消费类电子产品中发挥关键作用。其典型应用场景包括智能手机中的射频前端模块(RF FEM),用于功率放大器(PA)输出匹配网络、天线切换开关电路以及接收路径的滤波器中,帮助实现高效的阻抗匹配和信号完整性优化。此外,在Wi-Fi 6/6E、蓝牙5.x和ZigBee等2.4GHz及5GHz无线通信模块中,该电感常被用作LC谐振电路的一部分,用于滤除带外噪声并增强信道选择性。
  在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机和健康监测设备中,由于主板面积极其有限,LGHK10051N2S的小型化封装使其成为理想的高频电感解决方案。它可用于射频收发器周围的去耦、滤波和偏置电路设计,保障无线连接的稳定性和传输质量。同时,在超高频近场通信(UHF RFID)读写器、NFC标签接口电路中,该器件也常用于构建谐振回路以提升能量传输效率。
  此外,LGHK10051N2S还可用于高速数字信号线路的EMI抑制,例如在MIPI、USB HS等差分对附近放置小型电感以抑制高频噪声辐射。在某些低功耗DC-DC降压转换器或LDO旁路电路中,也可作为高频扼流圈使用,进一步改善电源纹波性能。总体来看,该器件广泛服务于移动通信、物联网(IoT)、无线传感网络、智能家居和车载信息娱乐系统等领域,是现代高频电子系统中不可或缺的基础元件之一。

LGHK10051N2S推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价