H27QDG8UDBLR-BCB是一款由SK Hynix(海力士)制造的NAND闪存芯片,主要用于高密度存储应用。该芯片的容量为8GB,采用TSSOP封装形式,适用于各种嵌入式系统和存储设备。作为一款NAND闪存芯片,它具备较高的读写速度和可靠性,并支持多种错误校正和管理功能。
容量:8GB
封装类型:TSSOP
接口类型:ONFI 4.0
电压范围:2.3V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
读取速度:最高可达500MB/s
写入速度:最高可达150MB/s
擦除速度:最高可达200KB/s
耐久性:10000次擦写周期
数据保持时间:10年
H27QDG8UDBLR-BCB具备多项显著特性。首先,其8GB的大容量使其适用于需要大存储空间的应用场景,如智能手机、平板电脑和嵌入式存储系统。其次,该芯片采用了TSSOP封装技术,这种封装形式具有体积小、重量轻、引脚数多、装配密度高等优点,非常适合空间受限的电子设备。
接口方面,H27QDG8UDBLR-BCB支持ONFI 4.0标准,提供了更高的数据传输速率和更强的兼容性。ONFI 4.0接口的引入使得该芯片能够与多种主控器无缝连接,从而提高了整体系统的性能和灵活性。此外,芯片支持多种错误校正码(ECC)功能,可以有效提升数据的可靠性和存储的稳定性。
电压范围方面,该芯片可以在2.3V至3.6V的宽电压范围内正常工作,这使其能够适应不同的电源管理方案,并在各种工作环境中保持稳定运行。同时,其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级应用,能够在极端温度条件下保持可靠的性能。
在读写速度方面,H27QDG8UDBLR-BCB的最大读取速度可达500MB/s,写入速度可达150MB/s,擦除速度可达200KB/s,这使得它能够满足高速数据存取的需求。此外,该芯片具备高达10000次的擦写周期,确保了其长期使用的耐用性。数据保持时间长达10年,即使在断电情况下也能保证数据的安全性。
H27QDG8UDBLR-BCB广泛应用于各种嵌入式存储设备中,如智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)、USB闪存盘、工业控制系统和车载电子设备等。其高容量和高性能特性使其成为现代电子设备中不可或缺的存储解决方案。此外,该芯片也适用于需要高可靠性和长寿命的工业和汽车电子应用。
H27QDG8UDBAR-BCB, H27QDG8VDMBR-BCB